※ 引述《newwrite (jikk)》之铭言： : 1.功函数和电子亲和力在物理的解释上有甚麽差别呢? : 功函数Ef到真空能阶差 电子亲和力是Ec到真空能阶差 : 那物理上的差别是在哪呢? : 2.在本质半导体中 费米能阶会出现在能隙中央 : 但是费米能阶定义为出现电子为50%机率的能阶 : 那麽能隙中可能出现电子? : 在定义电流时能隙中也会有电流吗? 答覆你第二个问题： 费米能阶的确是有50%机率 填电子的energy level. 但是光根据这一陈述并不能决定有多少电子 因为你还不知道有多少数量的energy level在费米能阶附近. 请把能阶密度的函数，N(E)dE 乘上 费米分布 f(E) 才能描述电子数量对能量的分布. 相关的例子 载子浓度的计算积分式 就是了. 半导体书一定有写。 如你所问，在能隙中， 能阶密度为零 (没能阶啊！)， 乘了费米能阶的费米分布函数值 (值为0.5) 结果当然还是是零。 故不会有电子存在能隙之中， 除非，有impurity level 或是 dislocation level. : 想了很久想不出来 可能是我观念还不很正确吧 : 好像都是定义上的问题 : 烦请各位解答 谢谢! --

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