作者sixth (冲向世界的最高峰)
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标题Re: [问题] 一些半导体物理的疑问
时间Sat Aug 30 19:21:03 2008
有错请纠正 或补充
※ 引述《newwrite (jikk)》之铭言：
: 1.功函数和电子亲和力在物理的解释上有甚麽差别呢?
: 功函数Ef到真空能阶差 电子亲和力是Ec到真空能阶差
第一次看到功函数的地方就是光电效应，用多少频率的光可以把材料里的电子
打出电子表面，功函数就是代表这电位差
至於为什麽是这个能量， 参考Fermi-Dirac Distribution，
理想上T=0 或是温度很低 电子几乎都在低能量状态
(不可以有外在能量干扰，热和非实验用的光影响到样品)，
在此状况下可以打出电子的能量，功函数!!!
最外层电子所具有能量...
电子亲和力关乎 最外层电子的交互作用力...
: 那物理上的差别是在哪呢?
: 2.在本质半导体中 费米能阶会出现在能隙中央
: 但是费米能阶定义为出现电子为50%机率的能阶
看Feri-Dirac Distribution，
或是 有高手可以证明说明 这个方程式怎麽得出来的吗?!!!!
请提供PAPER出处 (如果有PAPER的话)
: 那麽能隙中可能出现电子?
电子经过激发後，可以有它被激发後的能量 只是激发状态持不持久
如果能隙没有提供一个空缺给激发的电子，电子只能往下填补，
不过通常会存在 Defect， 这时能隙有可能会有LEVEL提供电子填补
你应该在看一下电子的 Generation-Recombination
: 在定义电流时能隙中也会有电流吗?
载子 Carrier，电子可在材料中移动或是填补空缺，
这...可被电场induce出 Drift, Diffusion current， 这看书可以知道
至於 你的样品结构特殊， Tunneling current可是需要考虑的
: 想了很久想不出来 可能是我观念还不很正确吧
: 好像都是定义上的问题
: 烦请各位解答 谢谢!
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.97.24
1F：推 wqert:电场只会induce drift current, 与diffusion current 无关. 08/30 22:49
2F：→ sixth:电场 也是可以改变ENERGY BAND的 08/31 00:48
3F：→ wqert:请教 电场改变band，如何影响diffusion current? 08/31 00:53
4F：→ sixth:你指的是J=nquE 没错 式子没错，你说的也没错 08/31 01:40
5F：→ sixth:只是npn不加电压 又怎麽会造成DIFFUSION 虽然这电流是因为 08/31 01:41
6F：→ sixth:载子梯度所造成的 08/31 01:41
7F：→ sixth:或是MOS 不控制电压 又怎麽会进入饱和区 08/31 01:42
8F：→ sixth:我则是指电场可以造成 载子梯度显着 引出Jdif的 08/31 01:44
9F：→ wqert:您这样讲，我无法再质疑什麽..... 08/31 17:28
10F：→ wqert:毕竟 电场造成载子梯度, 载子梯度造成diff current， 08/31 17:29
11F：→ wqert:简称为电场造成diff current，语意逻辑上无不妥。 08/31 17:29
12F：→ wqert:不过，将来如果有人说 某例子有电场却无diff current， 08/31 17:30
13F：→ wqert:或者 某例子 有diff current却无电场， 08/31 17:31
14F：→ wqert:或者 有电场、有diff current，却写不出两者的关系式， 08/31 17:32
15F：→ wqert:那您是否又得冗长的解释呢？ 08/31 17:33
16F：→ wqert:何不简单的回归physical origin，所有diff current 08/31 17:33
17F：→ wqert:都来自载子梯度的贡献。 08/31 17:34