作者wqert (冲冲冲)
看板Physics
标题Re: [问题] 同性相吸,异性相斥
时间Sun Aug 17 21:17:37 2008
: 推 wnglon:谢谢 08/17 18:48
: → wnglon:但空乏区电场为何因顺向偏压而变小 08/17 18:49
: → wnglon:能不能解释因为电压使PN接面粒子接触面积变小 08/17 18:52
(Sorry 第三行我看不懂您想讲什麽.)
要解释空乏区电场因顺向偏压而变小很容易
你要画图先了解，未加偏压时 (偏压=0)
它原本的build-in电场方向是朝那一边，
而外加顺向偏压时，
等於加了另一个反方向的电场，故变小.
你大概会问，那如果外加顺向偏压很大
会不会克服了build-in电位，转变成另一个方向的电场吗？
你可以思考一下这个问题可不可能发生.
(Hint: 高电流下的串联电阻 )
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 122.120.49.251
※ 编辑: wqert 来自: 122.120.49.251 (08/17 22:31)
1F：推 wnglon:你就讲解一下吧... 08/17 22:34
2F：→ wqert:当forward bias一直摧下 电流呈exponential暴增 08/17 23:04
3F：→ wqert:串联电阻就渐渐吃掉外加电压 08/17 23:05
4F：→ wqert:所以元件物理的书 画出 diode forward IV 到後段就说欧姆区 08/17 23:06
5F：→ wqert:这diode就越来越像是一个电阻. 电流也不再依exponential. 08/17 23:09
6F：→ wqert:就只是linear. 08/17 23:11
7F：→ wqert:至於一直加下去，到底会不会逆转? depletion width被压光光 08/17 23:20
8F：→ wqert:之後就发生了另一个方向的电场. 08/17 23:21
9F：→ wqert:不过一般device不care这段 (可能要几百伏特的电压才达得到) 08/17 23:22
10F：→ wqert:电流又超高, 非常极端的情况. 根本不必在一般diode课程讨论 08/17 23:23