※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之铭言： : ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之铭言： : : 谢谢你的回应~~ : : 不过我的问题比较接近为什麽在n区的空乏区 : : 电子会浓度会减少?? : 但是空乏区不是因为"缺乏可移动载子"才谓之空乏区吗? : 虽然定性上大概猜还是有啦~~ 当然有罗. : 不过有比较定量上的描述吗?? 推导二极体一开始有一个假设叫做depletion approximation. 假设一个空乏区区段，其中carrier浓度低到可以忽略 这仅是对於gauss' law来说可以忽略， 但是carrier (electron/hole) 不为0 事实上，除非温度到0K， 否则即使是intrinsic Silicon，也都有非零的carrier浓度存在. 这些低浓度的carrier有时会扮演关键的角色。 定量上，在depletion范围内 使用一样的浓度公式 Ef - Ei n = ni* exp(---------) kT 只是它的 (Ef -Ei) 沿着depletion region 会一直改变. (看band diagram) 此carrier浓度公式适用平衡条件下的condition。 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 122.120.37.217 ※ 编辑: wqert 来自: 122.120.34.145 (08/12 09:32)