作者xzcvb (再拼一下)
看板Physics
标题Re: [题目] 忆阻器
时间Fri Jun 20 22:05:03 2008
※ 引述《hill48 ()》之铭言：
: [领域] (题目相关领域)
: 电子电路元件
: [来源] (课本习题、考古题、参考书...)
: 版上文章分享
: [题目]
: 可以有多一点的中文相关资讯麽？
: [瓶颈] (写写自己的想法，方便大家为你解答)
: 很好奇这类的研究是因为惠普实验室发表在nature的文章後，才开始兴起的麽？
: 还是已经有很多人投入这领域了？
我认为
(1) 这东西没有资格当第四种被动元件，
(2) 有可能有一些应用，但是要跟flash拼，也还要努力很多项目吧.
第一点，是这样的:
它的定义
d PHI
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d q
可以推导到成为
V/I
咦 这不就是电阻吗
我困扰了几个礼拜
http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor
Memristor theory 第二个式子
这个forum
http://www.physicsforums.com/showthread.php?t=232425
有一些推导和讨论.
现在我觉得不过就是一个charge depandant 的resistor.
physicsforums讨论讲的是
just a resistor with histeresis.
讲应用的话很难说.... 太多领域我不懂.
以TiO2这种材料, ion move来像Flash NVM元件记忆
data retention这关，
还有read disturb这关
我想就有点拼了
半年後就冷掉了吧.....我猜.
不知道是不是ptt上第一个看衰memristor的 XD
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 122.120.34.59
※ 编辑: xzcvb 来自: 122.120.34.59 (06/20 22:13)
1F：→ xzcvb:有错就请指正. 06/20 22:15
2F：推 microball:不过 resistor with hysteresis 就跟数位存资料 06/20 22:28
3F：→ microball:很有关系耶，这样省去形成方波的一堆元件 06/20 22:29
4F：推 microball:不过也许已经有很好用的了吧 我这边很外行XD 06/20 22:33
5F：推 yeahbo:其实...类似的东西存在很久了... ex: phase change memory 06/20 22:44