使用近场光学方法来获取超密度的表面记录，是由美国贝尔实验室的 Eric Betzig 首先於1992年:在 Co/Pt 多层膜表面上，利用光纤探针的奈米(100-20nm)孔穴，在 极近的近场(<10nm)距离下，成功地进行磁光(M0)的读写记录实验，可在稍大於 2μm*2μm的表面上，写下记录密度约是45Gbits/inch2的超高记录密度，其中单一 记录位元点(bit)的大小约是60nm，显示出在近场光学中不受绕射极限的优点。 远场光学中能写最小的光点约是半个波长(λ/2)的大小。 图二是近场光学之SIL与SSIL两种镜头的示意图，通常光源经一普通透镜聚焦於其上， 其中在SIL镜头 ( solid immersion lens ) 示意图中，光经半球透镜聚焦後之光点 直径在半球透镜的表面处，因为SIL半球透镜的光学折射系数为n，光在透镜中的等效 波长是λ/n，放在SIL透镜表面处以及其之近场(或evanescent场)的距离内 (<150-100nm)，聚焦的光点约是(λ/n*1/N.A.)，与在远场距离下，光速在空气中之 折射系数n=l时的光点直径相较之下小了n倍，面积则是小了n^2倍，故相对地SIL可 提供的表面记录密度增加了n^2倍，若n值是2则近场SIL的镜头可立即提目前同型 远场光碟机的记录密度4倍。至於近场光学SSIL镜头(superhemispherical solid immersion lens )，则因为特地将SIL半径为r的球型透镜平切在中心超过r/n处， 使聚焦於球心下r/n处，则明显地由图三中可见其之会聚角度增大了， 故N.A.的值nSinθ因Sinθ～1而变成n，加上波长亦与在近场光学的SIL一样变成λ/n， 所以其之聚焦光点的大小约是λ/n^2，当然相对的记录密度比起近场光学的SIL是更加的 提昇了。 随着超高密度近场光碟机的发展，其间仍会有许多的科技问题会逐一产生，例如 奈米尺度下之污染、微尘，及保护膜等之问题，在机械控制上之防震、寻轨、 磨润、及稳定性与可靠度等之间题，在光碟机系统上之存取时间、数据的处理与 传输及介面控制等问题，可谓不胜枚举，是一典型高科技发展的处女地，相信是个 绝佳的机曾，但也是一个绝对需要非常地努力与忖出的工作。 结合磁区扩大技术 ( MAMMOS ) ，当我们使用SIL镜头 ( solid immersion lens ) 技术 存取资料时，可以不再需要担心读取头撞毁的情形，而且大量提昇记录密度。 事实上，Tera-Stor公司也正在期待此项技术。近磁场记录和MAMMOS技术的结合可能 可以使表面的记录密度达到 数百Gbits/in^2。 超顺磁 记录位元的磁化方向取决於材料本身磁异方向，欲提高磁记录密度，则记录位元和晶相 颗粒必须缩小，但是较小晶相颗粒之磁化方向易受自身的热能影响而改变，进而造成 记录资料的遗失，这就是「超顺磁极限」，其记录密度约可达20-40Gbits/in2， 预计在2002年硬碟将会达到超顺磁极限的瓶颈。 光储存记录媒体，虽有其他因素限制其记录密度，但因其记录机制并非磁性记录， 所以并没有超顺磁极限之缺点。磁光媒体记录层之磁化方向垂直於碟片，其优点在 使碟片拥有较高记录密度，又因为 RE-TM 可形成大小约数十奈米之记录位元， 故常作为磁光媒体之记录层，依此推论，记录容量高於硬碟5至10倍的磁光记录媒体 将是未来努力的目标。 热磁超解析法 ( Magneto-optic Super Resolution, MSR ) 可以增加磁记录密度， 一般的热磁超解析法是加磁光读取层於记录层上，当读取层的磁化方向都相同时， 就如同遮罩一般，挡住记录层的记号，而读取头造成读出层达到活化温度之後， 记录层的讯号就可以经由磁的交互作用力复制到读出层。这种方式可以提昇记录密度 达到2至3倍。 磁增幅技术 ( Magnetic Amplifying Magneto-Optic System, MAMMOS )是一种利用 扩张磁域的方法，将 GdFeCo 读出层镀在 TbFeCo 的记录层上，在读取的同时加入 一个脉冲磁场帮助磁域扩张，这麽一来读出讯号就被放大了。这种方式可以提昇 记录密度达到3至5倍。 RE-TM 薄膜最严重的问题就是氧化，所以一般对於 RE-TM 的保护是利用金属 ( Al、Cr )或介电层 ( SiN ) 作为氧扩散的障碍。而且，介电层和金属反射层 也可以提昇读出效率。 --

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