作者newwork (死了都要爱)
看板Physics
标题Re: [问题] 对半导体做快速退火的动作
时间Thu Jan 3 12:17:28 2008
※ 引述《hydrasmith31 (或许死亡才是最好的解脱)》之铭言：
: ※ 引述《newwork (死了都要爱)》之铭言：
: : 请问
: : 若把一块poly或amorphous的半导体
: : 四周用amorphous的insulator包起来
: : 然後利用快速退火炉 以每秒升温100度 把温度升到半导体的熔点以上10度
: : 温度维持个两秒 然後就急速降温 大概是每秒50度
: : 这样子处理後的半导体 晶格状态会是如何呢??
: : 我觉得应该会是amorphous
: : 因为半导体周遭的insulator的晶格大小和半导体的差太多
: : 熔融状态下的半导体没有可以seeding的地方 只能自己做排列
: : 而时间又不够 一般做热处理都要好几个小时
: : 只有两秒钟 才刚熔融的半导体还来不及去重整晶格 就被降温了
: : 所以应该是amorphous
: : 请问这样子的想法是正确的吗?
: : 谢谢!!
: 答案是
: 会破裂
: 除非你用微波共振腔处理
: 或者用电浆处理表面
: 否则那麽快的温度之下
: 一般的退火炉都会使样本破裂
你好
请问微波共振腔 和电浆处理表面
是指在退火的过程中 一起执行吗?
谢谢!!
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