作者newwork (死了都要爱)
看板Physics
标题[问题] 对半导体做快速退火的动作
时间Tue Jan 1 18:19:21 2008
请问
若把一块poly或amorphous的半导体
四周用amorphous的insulator包起来
然後利用快速退火炉 以每秒升温100度 把温度升到半导体的熔点以上10度
温度维持个两秒 然後就急速降温 大概是每秒50度
这样子处理後的半导体 晶格状态会是如何呢??
我觉得应该会是amorphous
因为半导体周遭的insulator的晶格大小和半导体的差太多
熔融状态下的半导体没有可以seeding的地方 只能自己做排列
而时间又不够 一般做热处理都要好几个小时
只有两秒钟 才刚熔融的半导体还来不及去重整晶格 就被降温了
所以应该是amorphous
请问这样子的想法是正确的吗?
谢谢!!
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1F：推 star722:纽约客改行搞材料 01/01 22:48
2F：→ Hanpeople:这是suppter的操作原理,不过我忘了差不多了 01/04 06:54