工研院昨（28）日宣布，继去年制造国内第一颗P型与N型奈米碳管场效电晶体（CNT FET） 後，电子所与化工所合作成功开发出国内首创的单层奈米碳管（SWNT）定位成长技术，可 在4至8寸矽晶片基板上制作，具备与积体电路（IC）整合的潜力，宣告奈米级电子世纪来 临电子所奈米电子元件技术组组长蔡铭进表示，现有奈米碳管场效电晶体制作技术大多采 涂布方式，长成的奈米碳管为随机分布，位置无法准确控制，对需求元件高良率的产业应 用。蔡铭进指出，近年国际先进研发团队都朝发展可控制奈米碳管位置的制程，其中以定 位成长技术最有进展。工研院单层奈米碳管定位成长新制程开发出的碳管，具金属性或半 导体性，在作为高效能金属连接线，及作为奈米碳管电晶体阵列用途，具可行性。电子所 所长徐爵民表示，在IC制程微缩的趋势下，以矽晶圆为基础的元件制程，逐渐面临光学与 物理学上的技术瓶颈，以及巨额研发投资的压力。各先进国家都嚐试以各种奈米级分子制 作各式的奈米电晶体，以便能在相同晶片面积内放入比传统多出数百倍以上的电晶体数目 。 (本文摘自：92.08.29 经济日报) >>more (建国理工电子报N0.46) 免费订阅：http://www.getgoal.com.tw/getroot/epaper/login.htm 课程谘询专线:02-2370-6600 网址:http://www.getgoal.com.tw -- ◢／ ＼◣ ◢◢\◢◣\/◢◣/◣◣◢██◣◢██◣◢◣ ◢◣ ◢██◣◢██◣◢██◣ ◥ ◥▇▆▇◤ ◤ ＼██／█／＼▉█▉＼ █▉＼ ＼██／█▇▇▇█／＼█ ▄▃▄ ▄▃▄ ／██ █＼／▉███◣███◣／██＼█▇▇▇███◤ ▇ ▃ ▇ ◥█◤ ◥██◤◥██◤◥██◤◥██◤◥██◤◥◥█◣ ◢◥ ◤◣ by wengee --

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