板上讨论黄光的比较多，毕竟是microfabrication的第一步，黄光之外的其他制程 讨论相较之下会比较少一点。前一篇文章写得很好，不过在这边补一些观念厘清， 以供对之後有需要对乾蚀刻制程的先进参考 ※ 引述《NightMoon33 (夜月)》之铭言： : 原po你好，我硕士班也有花了数个月测试RIE蚀刻的侧壁笔直性 : 不过我的深宽比是1.67，深度约250 nm，宽度约 150 nm，而且我蚀刻的是介电质材料 : 希望一些经验可以帮到你 : 那时候的学长是说化学蚀刻气体"比例"千万不能动，化学气体比例是影响最剧烈的 : 在这里指的就是CF4和O2两个气体的比例千万不要动 CF4跟O2比例不是不能动。 事实上RIE制程中加入O2的原因，是因为要在反应中 将O2产生的含氧生成物与CF4产生的碳发生作用。碳跟氧结合了，留下未反应的的F， F在整个反应中的相对比例就会提高，而F就是与Si结合的主要反应物，简单来说， F浓度高了，蚀刻就快了。 由以上叙述可知，制程中加入的O2气体主要是加快蚀刻速率，对侧壁的反应并无直接 关连，所以不要动这点我是赞成，但原因为上述 : 再来是制程真空度，一般来说，如果侧壁要越笔直，则真空度就要越低 : 所以我当初是设定RIE机台的最低真空度: 20 mTorr 这边其实容易令人误解。 mTorr其实是压力单位。原PO所指的应为 "侧壁要越直，反应压力要越低"。 而压力要越低，代表的是真空度则是越高。 其理论基础也很简单。真空度越高，腔体内反应粒子的"平均自由径"越长。公式在这边 我就不列了。平均自由径越长，离子所带的能量就越高(一样是省略公式)。 离子能量越高，离子轰击效果越好，越能达到非等向蚀刻的目的。 : 不过真空度会容易造成光阻被轰击的更剧烈，所以要特别考虑选择比和光阻去除的问题 : 如果调低真空度测试过还是不行的话，再去调动Ar和RF Power : 调动Ar可以增加化学性蚀刻，但是光阻也更容易被轰击 ^^^^此处的"化学"应该是"物理"的误植 : 而调动RF Power是控制气体的解离量 学理来说都是对的，增加Argon浓度，就会增加(用来做物理性轰击)离子的浓度 而增加RF Power, 电浆电位增加，直流偏压也增加，离子密度与离子轰击能量均可由 RF Power控制，RF Power是控制离子轰击最主要的枢纽 : 如果我是你，我会先以原有的参数并调低制程真空度到机台最低范围 : 如果不行再微调气体流量 : 作个Ar 15%和RF Power 25W、40W : 这样交叉组合大概会作3个测试实验 : 从中取侧壁角度最大的参数再继续往那方向作修改 : 希望可以帮助到你，祝你早日实验成功~ 回到第一点，制程加入的辅助器体，除了02之外，H也是相当重要。有许多RIE所通的气体 会以CHF3来取代 CF4。 不同於O是拿来跟CF4中的C来反应，H刚好相反，是用来跟CF4中的F反应生成HF。 F被H反应掉了，反应气体中的C的浓度就会增加。此时整个蚀刻反应中的"蚀刻"反应就会 降低，取而带之的是由高含碳量所导致的"高分子生成"反应，意即在被蚀刻薄膜表面 (包含侧壁)会生成一种高分子。这种高分子膜就会妨碍蚀刻的继续进行。 这种机制跟ICP-RIE中Bosch Process所生成Passivaiton layer拿来保护侧壁的原理 很接近。运用得宜，亦是用来保护侧壁，达成非等向性蚀刻的好方法。 但缺点就包含蚀刻速率太低，以及"方法太复杂，很难运用得宜"。 整个结论是， 以RIE为主的乾蚀刻包含了物理性蚀刻跟化学性蚀刻两种。化学性蚀刻就如同湿蚀刻一样， 会导致等向性蚀刻，因此侧壁无法垂直。因此若是要求要有侧壁垂直，就要尽一切可能， 增加RIE的物理性反应，抑制化学性反应。 只要能够了解RIE中每项参数(RF Power, Presure, 气体流率)以及所使用气体 (CF4, CHF3, O2, H2, Argon)背後所代表的原因，理论基础，以及物理意义， 就能够事半功倍，以正确的方向，较短的时间，达到使用这项工具的目的。 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 205.175.124.16 ※ 文章网址: http://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/NEMS/M.1397173458.A.550.html 感谢经验分享~本篇之前没提到温度影响，因为一般学界RIE无可调整温度参数 故无讨论， 不过温度的确会影响。理由在於低温可以抑制RIE的化学性蚀刻，达到只有离子轰击的 效果。着名的例子如cryogenic process, 即为DRIE所使用方式一种(但现今绝大多数 DRIE主流为Bosch Process，而非 cryogenic process). 其原理及是将wafer 冷却到零下一百一十度C，在这种温度下造成只有物理性蚀刻为主，而几乎无化学性 蚀刻的存在。 ※ 编辑: SkyLark2001 (205.175.124.160), 04/18/2014 15:49:54 ※ 编辑: SkyLark2001 (205.175.124.160), 04/23/2014 13:59:47