作者tengyuan (tengyuan)
看板NEMS
标题[问题] 负型光阻一问
时间Mon Mar 11 12:08:41 2013
在去年8.9月买负型光阻su-8 gm1040
一直用到12月後因实验题目没有用到後就没有做实验
直到今年1月才後有接触到
但问题发生了
现在spin coating在矽基板上无法附着上去
有跟厂商反应
他们觉得可能是光阻变质
之後也提供少量未开封的光阻在测试
结果还是一样
不知有没有人有遇过这样类似的问题
另外，
不知有没有人使用过NR7-1000P的负型光阻
可否提供实验参数
这款光阻显影时间满快的
一直抓不好他的参数
我要制作的pattern是约几百奈米的grating
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.117.32.248
1F：推 SkyLark2001:1. wafer拿去BOE泡一下改变亲疏水性 03/11 13:04
2F：→ SkyLark2001:2. RD6可以3:1稀释，显影时间就可以从12s延长到4,50s 03/11 13:05
3F：→ SkyLark2001:3. NR7-1000P可以做到submicron, 技术很好啊，你才应 03/11 13:08
4F：→ SkyLark2001:该要跟大家分享你的参数XD 03/11 13:08
5F：→ tengyuan:我使用NR7-1000P的光阻，软硬考的时间、温度都是按照厂 03/11 16:18
6F：→ tengyuan:商给的，至於曝光，我利用uv laser用全像干涉曝出我的图 03/11 16:20
7F：→ tengyuan:案，曝光时间目前是约10sec，显影大概都10sec左右 03/11 16:21
8F：→ tengyuan:RD6稀释是RD6:water=3:1吗? 03/11 16:23
9F：推 SkyLark2001:对啊 03/11 16:27
11F：→ SkyLark2001:NR7-1000P"Y"的原厂资讯。多了一个Y但基本上是一样的 03/11 16:29
12F：→ SkyLark2001:第二页第五点第三行。三比一稀释後显影时间就变50秒 03/11 16:30
13F：→ SkyLark2001:不过这是针对1 um的厚度的参数，你那麽薄可自行调整 03/11 16:30
14F：推 SkyLark2001:所以你不是用光罩，是直接用laser去曝光的吗？还是说 03/11 16:40
15F：→ SkyLark2001:你的光罩是类似狭缝装置用来制造干涉的？ 03/11 16:41
16F：→ tengyuan:SKY大，我现在曝完显影完，在OM下没有pattern，是因为能 03/11 16:42
17F：→ tengyuan:能量太高吗? 03/11 16:43
18F：→ tengyuan:我没用marsk，直接干涉曝 03/11 16:44
19F：推 SkyLark2001:没有pattern是都还在还是都洗掉？ 03/11 16:48
20F：→ tengyuan:在pattern边边稍为还有一些线的感觉，pattern中心都只有y 03/11 16:53
21F：→ tengyuan:点，雷射的beam是高斯分布，中间能量会比较强，边缘比较 03/11 16:55
22F：→ tengyuan:弱 03/11 16:55
23F：推 SkyLark2001:感觉像是过曝或是under development，因为只有边缘能 03/11 17:03
24F：→ SkyLark2001:量若的部份有线条出来。先确定你是RD6:DI= 3:1，确定 03/11 17:04
25F：→ SkyLark2001:的话开始慢慢缩短曝光时间吧～ 03/11 17:04
26F：→ tengyuan:OK 感谢sky大 03/11 17:05
27F：推 LittleBlue21:请问过曝是指曝太久能量太强吗?那为什麽pattern不见 03/11 18:15
28F：→ LittleBlue21:会是过曝呢?不是应该是能量不够吗??? 03/11 18:16
29F：→ LittleBlue21:因为我也是有pattern不见的问题... 03/11 18:16
30F：→ tengyuan:我今晚有改变曝光强度久成功了 03/11 22:31
31F：推 SkyLark2001:因为原po使用负光阻，曝光的部份会留下。所以没有 03/12 03:50
32F：→ SkyLark2001:pattern表示整片wafer都曝到光了，通常是因为过曝太多 03/12 03:51
33F：→ SkyLark2001:才会造成这种情形，特别是原po的线宽是submicron, 03/12 03:51
34F：→ SkyLark2001:会特别明显。请问t兄是减少曝光时间才改善的吗？ 03/12 03:52
35F：→ SkyLark2001:减少曝光时间或是降低光强这样吗？ 03/12 03:52
36F：→ tengyuan:我是减少光强，其他参数都没变，曝十秒，显影十秒 03/12 11:02
37F：推 LittleBlue21:那请问S大,如果我的大size pattern还在(约几百micron 03/12 20:33
38F：→ LittleBlue21:但小的pattern(约10 micron或更小)不见了,是不是过显 03/12 20:35
39F：→ LittleBlue21:因为显影前还隐约可看见小pattern 03/12 20:36
40F：→ LittleBlue21:之前pattern不见以为是能量不够,因此一直加曝光时间 03/12 20:37
41F：→ LittleBlue21:後来显影前才终於可见小pattern,但显完又不见了... 03/12 20:38
42F：推 LittleBlue21:还是我的也是过曝呢?不过我可以改变的只有曝光时间 03/12 20:44
43F：→ tengyuan:显影时间无法改吗?比较宽的pattern应该比较好显影吧? 03/13 01:49
44F：→ tengyuan:我之前用SU-8有显影过周期20um跟10um，很容易显影 03/13 01:50
45F：推 SkyLark2001:crosslinking过後的SU-8很强韧，已经不大怕显影液 03/13 01:52
46F：→ SkyLark2001:所以SU-8的显影可以多显好几分钟没问题，显乾净点 03/13 01:53
47F：→ SkyLark2001:这是SU-8本身特性。其他负光阻如Futurrex就不行， 03/13 01:53
48F：→ SkyLark2001:很容易过显。肉眼可判断，这也是为什麽RD6可拿来稀释 03/13 01:54
49F：→ SkyLark2001:L兄可否多给一些详尽资料？如何种光阻何种基板 03/13 01:55
50F：推 LittleBlue21:SU8 3035稀释光阻 SiO2基板,我的显影时间有减少了 03/13 08:41
51F：→ LittleBlue21:那是学长留下来的数据,稀释完大约在3005跟3010中间 03/13 08:43
52F：→ LittleBlue21:t大我的宽的pattern很好显,但小的显完就不见了,我有 03/13 08:45
53F：→ LittleBlue21:用OM看过却找不到,而显影前肉眼可以勉前看到小点 03/13 08:46
54F：推 SkyLark2001:小的pattern是留下来的还是被洗掉的？(光罩透光or不透 03/13 09:09
55F：推 LittleBlue21:小的pattern是应该要留下来(透光的),但是看起来没有 03/13 10:02
56F：→ tengyuan:L大，pattern小是多小??我们实验室OM极限应该可以看到线 03/13 11:30
57F：→ tengyuan:宽约1um左右 03/13 11:30
58F：推 LittleBlue21:小pattern 5um左右 03/13 12:16