作者capsss ()
看板NEMS
标题[问题] 降低加热之消耗功率
时间Mon May 14 21:49:02 2012
版上各位先进
目前我们实验室在制做一种利用加热产生红外光源的发射器
老师要我想办法去降低加热消耗的功率
目前的结构是Silicon背面镀上200nm~300nm Mo
另一面镀上金属-介电质-金属的结构
目的是要用背面的Mo通电加热
我有查了一下再做Micro hotpalte的paper
大家都会让加热的电极不只是单单一层薄膜
而是会制作图形
我想请问
1.制作图形的意义只是为了加大电阻吗?
因为我觉得P=IR=V^2/R=i^2R
不论电阻如何 功率只跟IV有关
这样R的用途是?
我有看到有硕论上去比较在相同图形下比较图形长宽比不同下的加热结果
它的结果是长宽比越大 消耗越少的功率达到目标温度
但是可能是因为我的加热区域是1cm*1cm
所以做出来的结果和他们不同
2.请问金属在薄膜的尺度下是不是电阻率会差很大?
我看到的文献都是在200nm後会达到稳定的值
但是我用sputter镀Mo发现同一次制成下每一片元件的电阻值在40~100欧姆间
而且理论上在250nm的薄膜下长宽比等於一的状况下欧姆值应该是2欧姆左右
3.最後请问是不是除了Pt有其他更适合的加热金属?
因为Pt很贵老师应该不会喜欢这个结果
不好意思 因为这方向跟我以前所学的知识是不同领域的
所以很多对大家来说应该是很简单的问题但是我却不了解
请见谅
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.218.154
1F：→ capsss:忘了说 因为我要加热的区域很大 所以没办法用挖空Si的方式 05/14 21:51
2F：→ capsss:去减少散热 挖空的话上面MIM的薄膜应该会塌掉 05/14 21:51
3F：推 minitai0616:我做电极都用贵金属耶~黄金考虑吗? 05/18 02:39
4F：推 Jeffch:你可以用COMSOL算算看，AC/DC+Heat Transfer modules，应该 05/19 05:34
5F：→ Jeffch:会是一个蛮有趣的题目。你说的材料和尺寸因素应该都可以精 05/19 05:35
6F：→ Jeffch:准地分析 05/19 05:35
7F：→ capsss:谢谢楼上大大的回答 我有尝试过用ansys去分析 但是因为厚 05/19 22:43
8F：→ capsss:度与长宽的尺度相差太大而无法切网格 comsol的话可以吗? 05/19 22:43
9F：→ capsss:我最近才接触热传模拟软体 很多不懂 请见谅 05/19 22:44
10F：→ achieveman:用PVD镀薄膜通常晶粒很破碎,电阻率不是BULK性质 05/31 00:06