作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题] RIE 蚀刻
时间Mon Nov 29 20:52:35 2010
※ 引述《knoben (pop)》之铭言：
恩若是我的话我会先不要放小球，镀Cr之後放KOH当作对照组。
若可行的话表示你放小球那一步骤影响了Cr的附着力，
到时候再看怎麽改进。
若一样挡不住的话表示你要再镀其他金属来当阻挡层
: 谢谢您的回答
: 我的步骤就是先放小球 度Cr 弄掉小球 KOH蚀刻
: RIE是放小球後 度Cr前做的
: 并没有度第二层Cr
: 表面太脏阿.....确实如您所说不能用piranha因为小球是有机物
: 我会试试用金跟Cr 来做做看
: 再一次谢谢您的回答
: ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言：
: : 我再看了一次原PO的文章
: : 其实我看不是很明白原PO的制程步骤
: : 不过既然RIE只有开O2 plasma, 所以不会对Silicon表面有影响
: : 所以我上一篇文章看看就好。跟蚀刻後的表面粗糙度无关
: : 而是原PO第二次镀Cr时substrate表面太脏导致附着力不佳。
: : 改善方法? 第一还是先镀一层Au 确定不是因为KOH吃Cr
: : 若这一点排除，还是不行，那可能无解。因为我想你表面的"小球"应该无法承受
: : 任何Solvent或是Piranha的清洗
: : 我很好奇你第二次镀Cr的时候你第一层的Cr 在哪里?
: : 你若是没办法在第二次镀Cr之前让你substrate够乾净，基本上应该无解。
: : RIE 的O2 plasma专门烧有机的，会让substrate表面更乾净，不会因此让si跟Cr黏着
: : 性变差。除非你表面的有机没有烧乾净。SiO2或是SiNx跟Cr的黏着性都不错。
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◆ From: 69.91.137.170
1F：推 lockq:我同意本篇原PO的看法! 11/30 07:39
2F：推 knoben:不知道一般都是怎麽dehydration? 把wafer拿到hotplate上烤 12/01 05:37
3F：→ knoben:吗? 还是有别的办法呢? 谢谢 12/01 05:38