来源http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/101117/5/2ha7i.html （中央社记者杨淑闵台北17日电）清大助理教授阙郁伦今天在国科会发表与国际团队的研 发新成果，将三五族元件的光电性质整合到矽电子元件上，让现有32奈米半导体制程进入 22奈米制程效果，已发表於自然期刊。 国科会今天召开「整合材料科学技术改善半导体制程重大突破」记者会，由阙郁伦发表11 日已刊於自然（Nature）期刊的相关研究成果。 这项研究由美国加州柏克莱分校电子工程与电脑科学系副教授Ali Javey团队、美国新墨 西哥大学电子与电脑工程系教授Sanjay Krishna团队，以及阙郁伦团队共同合作进行。 阙郁伦说，为克服半导体制程技术微缩低於22奈米的问题，此研究利用磊晶转层技术，成 功将三五族元件的光电性质，转移到矽电子元件上，透过光电与电子元件混合，可让现有 半导体生产技术，在低成本下，推向22奈米效果。 过程中，藉由黄光微影技术蚀刻出三五族化合物半导体奈米带，以选择性蚀刻将底部基材 去除，然後利用软塑胶介面简单接触压印，成功转移三五族化合物其中一种化合物砷化铟 （InAs）於二氧化矽的矽基材上，也实现了所谓化合物半导体材料绝缘层披覆技术（XOI ）。 他说，此项制程的优点包含不需任何接合处理、增加基材使用率、增加元件操作速度、减 低元件功率消耗、元件尺寸奈米化、克服化合物半导体整合於现阶段矽制程技术的问题。 他并说，此研究的延伸研究，未来将研发光传输，而非电子传输的模式，因为光的速度比 电子快许多，且不会产生热，未来运算速度会更快，储存容量也更多，将有机会实现量子 电脑的可能。991117 --

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