作者deathcustom (Full House)
看板Electronics
标题Re: [问题] 为什麽IGZO做的TFT不用做P//N
时间Thu May 2 10:59:33 2024
※ 引述《a1106abc (HP都陷入内战中)》之铭言：
:
: RT
: 好奇问一下
: 网上的IGZO TFT的结构
: https://i.imgur.com/GXGkwnQ.jpeg
: Source/Drain 直接IGZO接金属
: 为何不用P/N/P或N/PN （一般电晶体不都这结构）
: https://i.imgur.com/fsIudzE.jpeg
: 这张source/Drain是打N+
: 但本质IGZO不是N type吗
: 不就变成N+/N/N+结构～～
: 有人能解惑吗？
是
你没有说错
给你一个我9年前帮友达写的专利你看完应该可以更了解整个架构及运作原理
TW I569327/CN 105140295B/US 9865745B2
https://patents.google.com/patent/TWI569327B/en?oq=I569327
帮你摘录一下
图2G、4A~4B
段落0017~0019
通道区(TP)本身的掺杂为N，其实半导体在通道没建立的状况下都视同绝缘(4A)
两侧的N+当SD电压低、G电压高的时候(4B)，电子会被吸到靠近闸极侧而形成通道
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 211.23.191.211 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1714618776.A.6C2.html
※ 编辑: deathcustom (211.23.191.211 台湾), 05/02/2024 15:55:19
1F：推 a1106abc: 所以S/D还是要N+?我看有些结构S/D没有特别打耶～厚度要 05/02 19:43
2F：→ a1106abc: 20nm以下才可以？ 05/02 19:43
3F：推 a1106abc: 一定要有机介电层？一般oxide不行吗？ 05/02 19:47
4F：→ deathcustom: 你讲的那些点是这篇专利的特点，我要让你看的是那几 05/06 01:57
5F：→ deathcustom: 段叙述的"作用原理"QQ 05/06 01:57
6F：推 a1106abc: 再问一下这样的结构是JL-Fet(无结场效电晶体）还是Fe- 05/06 12:41
7F：→ a1106abc: Fet(铁电场效电晶体）？ 05/06 12:41
8F：→ deathcustom: 从日本回来了，我当初看的时候认为是JL 05/17 15:48
9F：推 a1106abc: 当我的闸极overlap S/D的状况S/D就不用打N+只要有欧姆 05/17 18:56
10F：→ a1106abc: 接触～这样对吗？如果没有overlap为了越过没有闸极控制 05/17 18:56
11F：→ a1106abc: 的那段高电阻区才需要打N+?感谢你的耐心回答～ 05/17 18:56