作者sillyquans (Jim77639)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於MOSFET
时间Tue Oct 20 17:01:22 2020
抱歉，我不太会用缩图
1. 24V -> 695R -> VDS -> 500R
电路图 =>
https://imgur.com/a/VOQueDi
Rds为5.01欧姆，温升计算为0.8度C
-----------------------------------------
2. 24V -> VDS -> 500R
电路图 =>
https://imgur.com/a/cFQt9rZ
Rds为700欧姆，温升计算为116度C
-----------------------------------------
这两者差异只差在有没有接上695R
如果没有串联695R，会使VDS电压变大，近而Ploss变大、元件变烫
我使用Nexperia NX7002AK，规格书明确表示在Vgs在5V下，Rds(on)基本3.7R、最大5.2R
理论推理可得到Vgs为2V情况下，Rds(on)会大於3.7R
由例1模拟计算得到5R > 3.7R (合理)
但例2模拟计算却得到700R >>>>>> 3.7R (实质不合理)
我主要问题点是在例2状况下，Rds(on)还能用Vds / Ids来计算得到吗?
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1F：→ sillyquans: 我於PCB板上因散热条件好，量到温升为90C 10/20 17:03
2F：→ samm3320: Vgs=2V RDS>3.7R是怎麽来的？spec就说要5V? 10/20 17:10
3F：→ sillyquans: spec上有列Vgs = 5V下，Rds(on)为3.7~5.2R 10/20 17:11
4F：→ sillyquans: 同理，当Vgs变小、Rds(on)会变大，故会大於3.7R 10/20 17:12
5F：→ samm3320: 喔喔我看懂了，对所以700R>3.7R也是合理的啊，VGS差这 10/20 17:12
6F：→ samm3320: 麽多 10/20 17:12
7F：→ samm3320: spec没有保证你在VGS=2的时候RDS<5R啊 10/20 17:13
8F：→ sillyquans: VGS才差1V，照理说Rds(on)不应该是超出上百倍才对 10/20 17:14
9F：→ sillyquans: 规格书没保证，所以我才来探讨Rds(on)是否会有百欧姆? 10/20 17:16
10F：→ samm3320: 照理说就会啊，你又不知道他VT多少，搞不好快关掉了 10/20 17:16
11F：→ sillyquans: 确实有可能快关掉了，但我也不是这类专家.. 10/20 17:20
12F：→ sillyquans: 所以才来板上询问，是否有人知道问题在哪.. 10/20 17:21
13F：→ samm3320: 假设这颗mos VT是1.5好了，Vgs-Vt从4.5掉到0.5，差九倍 10/20 17:22
14F：→ samm3320: ，平方也快百倍了 10/20 17:22
15F：→ samm3320: 不过都在饱和区了，去看RDS on真的不知道要干嘛就是 10/20 17:24
16F：→ sillyquans: 7002, 常态Vgs(th)为1V~2.5V(max) 10/20 17:26
17F：→ samm3320: 我去看了一下你这颗Vt typical 1.6 max 2.1 10/20 17:27
18F：→ samm3320: 对啊所以快关了 10/20 17:27
19F：→ sillyquans: 我再多研究好了，因为温度我只联想到RDS IDS VDS 10/20 17:27
20F：→ samm3320: 因为P=R*I^2吧你锁住电流拉大VDS功耗会增加温度升高方向 10/20 17:35
21F：→ samm3320: 是对的啊 10/20 17:35
22F：→ samm3320: Drain上有串R的话大多功耗就消耗在电阻上 10/20 17:36
23F：→ samm3320: mosfet温度就比较低，电阻温度比较高，这样不是很合理 10/20 17:37
24F：→ samm3320: 吗 10/20 17:37
25F：→ cmosdigital: 针对问题点的答案为： 不能 10/20 17:57
26F：→ cmosdigital: 因为你的Id是强迫定电流给的 不是因为给定元件偏压14 10/20 17:59
27F：→ cmosdigital: V 自己产生的电流 10/20 17:59
28F：→ sillyquans: Hi c大，那麽Rds(on)会是多少呢？ 10/22 00:49