※ 引述《dry123 (dry123)》之铭言： : 因为要讲解给朋友听，所以想询问的更清楚 : 请参考以下网址的图 : http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html : 不知道下面的解释是否正确，若是有不正确的地方还请各位提出。 : 以 p-substrate在累积状况(上排最左边第一张)为例子 : 此状况下 : Metal加负电压，p-substrate接地 : 因为电压源会将电子灌入Metal，让Metal处在高能阶的电子机率增加 : 所以Metal的Ef会整条往高能量的方向移动； 其实不用那麽复杂, 简单说就是负偏压处金属整体电子的电子位能较高 : p-substrate接地，并无电子进入p-substrate，p-substrate中也没有电流 : 所以p-substrate整条Ef的能量不动，也不会弯曲 结构是MOS Cap, 以左上图来说, 金属加负偏压後电子从p-substrate流出至金属 让p-substrate的电洞在氧化层接面聚集, 也就是MOS Cap处於accumulation模式 Ef在净电流为0的情况下是平的 : 但p-substrate靠近oxide的介面处，oxide电场关系让电洞聚集 : 会让靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上弯。 : 另外，这边我就不了解了，何种原因会让靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上弯， : 以及如何分辨靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上还是往下弯 : 请教各位。 往上弯: 接面处电洞浓度比远离接面处还高的情况, 因为Ef更靠近Ev 往下弯: 接面处电子浓度比远离接面处还高的情况, 因为Ef更靠近Ec --

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