作者kerkerker (KerKer)
看板Electronics
标题[问题] dummy cell的poly length有一定要跟主Cell一样吗?
时间Tue Jun 14 21:11:52 2011
我现在在修LAB课，MOS SIZE都已经给好规格，layout用的是TSMC .35制程。
其中有颗NMOS 的size是W=1 L=5 m=1，那我在两边加上dummy时，有必要poly
也加到L=5u吗?还是小一点也可以?因为dummy不是为了防止边缘的制程误差吗?
那是不是加一点就可以了? 不然左右再加个5u看起来还不小!
感谢解惑
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◆ From: 1.169.173.243
1F：推 jfsu:1/5 看起来像是电阻用途...知道用在哪一个电路区块吗? 06/14 23:02
2F：→ jfsu:0.35制程的话倒还好... 06/14 23:03
3F：推 chen20:poly一样大的话，到时候要改电路这样又多两颗可以用 06/14 23:25
4F：→ chen20:不然的话可以用1/2大小的mos 06/14 23:25
5F：→ kerkerker:算是电阻，垫在一个电容底下接地，避免电容电荷流掉 06/14 23:55
6F：→ Mauder:dummy length可以用最短的 记得不能floating 若不是用在dc 06/15 15:40
7F：→ Mauder:bias上则要注意他造成的杂散电容 06/15 15:41
8F：→ kerkerker:恩，了解了，谢谢 06/16 00:55