作者henry9102017 (小猪仔)
看板Electronics
标题Re: [问题] 类比电路的bias计算
时间Mon Jun 6 15:19:43 2011
不知道你的电路是否有固定的spec呢??
比如说gain BW power之类的
如果有的话
我觉得你有些bias设定上面的参数就可以先决定
诸如 全部的电流等等
当然 要全部用手算的来符合电路模拟是件很好的事情
若我使用我第一次使用的process 我会先跑device的IV curve
了解device的特性 (Vt Id 等等)
假如是做amplifer的话
可能自己 先design一个简单的CS amp
看一下这制成的驱动力跟频宽
了解整个制程特性後 或许会让你在调整设计电路上会比较有感觉
此外 若要用手算的话
你可以经由电路模拟软体 取得你的ro 跟 gm 跟一些小讯号参数
或许会比你使用电子学 Id的那些公式来得方便且准确
good luck~~~
※ 引述《sensitivity9 (叹)》之铭言:
: 最近在修一些有关类比电路设计的课
: 常常要用Hspice Run
: 第一步就是要Run到全部MOS在Saturation
: 但是每次做作业 就是 "Try and error "= =
: 真正在Hspice上 以前电子学学的
: 好像又不是这麽回事= =
: 二十几颗 MOS 一下这颗linear 调一下w 换这颗linear
: 想请问一下
: 该如何精准地估出这颗mos会吃的VDS呢?
: 我都是用I*Ro去估的 Ro用电子学那套
: 但是"lambda" 用Spice量出来套进去算
: 算出来好像也不是这麽回事
: 麻烦各位指点了
: 细谢
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◆ From: 114.32.235.2
1F:→ sensitivity9:非常感谢! 06/17 17:31