作者deathcustom ()
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标题Re: [问题] 请问TSMC 90nm DRC ERROR 麻烦了！感谢！
时间Mon Sep 21 18:12:12 2009
※ 引述《yingda1004 (阿达)》之铭言：
: 由於之前都用CIC的虚拟制程.这是第一次用真的制程所以我完全没有头绪.请各位前辈帮
: 帮忙.谢谢
: 我LAY完一个子电路後跑DRC.但它出现以下几个错误...（几乎都是同一类错误.超多）
: 1. DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.
: CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
: 2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
: EMPTY_AREA AND NWi }
: 3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the
: UTM CAD layer.
: CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
: 麻烦了！
DOD, DUTM应该分别指的是dummy diff跟dummy top metal(应该吧？)
大概你dummy跟正常的金属重叠了
你开highlight看看
至於CSR......你还没做全部的时候暂时不用管o.o
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◆ From: 122.116.95.114
1F：推 yingda1004:再次感谢D大!!可是我根本没画DUMMY呀?再请问一下D大 09/21 19:10
2F：→ yingda1004:像加DUMMY.在子电路是不是也可以先不要理它?最後到CHIP 09/21 19:11
3F：→ yingda1004:层在补就好了??感恩!! 09/21 19:12
4F：→ yingda1004:还有再请问一个题外话!在画MOS时.利用finger将mos的w等 09/21 19:13
5F：→ yingda1004:变小.跟不用finger.w很大.有什麽差?如果不考虑noise. 09/21 19:15
6F：→ yingda1004:也不是RFMOS.那这样除了寄生电容稍大还会有什麽不好的? 09/21 19:15
7F：推 cpt:finger数多 寄生电阻电容都变低 频宽变高 但坏处是W variation 09/22 05:11
8F：→ cpt:可能也会变高 09/22 05:11
9F：→ yingda1004:为什麽W variation会变大??不是平均也会平均变异吗?? 09/22 08:27
10F：→ yingda1004:谢谢C大 09/22 08:27
11F：推 cpt:假设total W=10um, variation造成内缩0.1um => 等效W=9.9um 09/22 11:05
12F：→ cpt:改成4个finger, 2.5um each, 同样的variation (del_W=-0.1um) 09/22 11:06
13F：→ cpt:等效W=4*(2.5um-0.1um)=9.6um 09/22 11:07
14F：→ cpt:不过通常还是以降低寄生效应为优先 variation另外想办法补救 09/22 11:09
15F：推 yingda1004:感谢C大的解说!! 09/22 12:59
16F：推 yingda1004:频宽真的爆了...要怎麽补救= = 09/23 22:28