作者d9368323 (藤木)
看板Electronics
标题[问题] 矽锗异质接面电晶体参数萃取
时间Sat Dec 13 23:17:57 2008
一般在论文上可以搜寻到矽锗异质接面电晶体小信号等效电路参数萃取的直接萃取方法
。但是小弟我在分析数据时全照做还是没办法上我的本质参数萃出来是跟频率无关，
所以小弟我要请问板上有经验的大大帮我解惑:
1.我的open & short pad是很general的布局方式，并非实际拿掉DUT的走线布局，不
知道这样去扣pad会不会有误差?
2.我的量测设定是 400M~26.5GHz step 20MHz IF 500Hz Output power -12dbm(略
大於该颗元件(TSMC hw153c2)的P1dB，使用SOLT校正方式，使用安捷伦的power sup
ply当做电源供应器。以上是我的设定，不知道这样是否为正确且标准的量测方法?
3.小弟使用二步去嵌化，不知这样够不够精确?
烦请有经验的大大跟我分享一下经验，可以的话让小弟能够与你联系，因为小弟从
暑假一直萃取到现在都得到同样的结果。 感恩。
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