smith电子学10.3节的判断方法应该是只适用於PMOS的Source接1，NMOS的Source接0吧？ 用duality特性来设计很快 但如果不是那样的情况(ex.下面的图)，而是PUN和PDN无duality特性 这样是不是应该用真值表来看呢？ 下面三个example，麻烦大家帮我看一下推论有没有错 还有高阻抗态该怎麽表示呢？ 感谢! ex. 1 │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ 0 当A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充电到1 1 1 off on Y 放电到0 0 1 on on 要看kp和kn的大小来判断Y是充电或放电 1 0 off off Y 是高阻抗态 假设kn>kp，所以A:0 B:1 时 Y放电到0 由卡诺图： ───── │B\A│0│1│ 请问高阻抗态时要怎麽在图上列？ ───── Y的式子要如何写呢？ │0 │1│?│ ───── │1 │0│0│ ───── ex. 0 │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ 1 当A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 放电到0 (MOS的Drain和Source可以互换) 1 1 off on Y 充电到1 (MOS的Drain和Source可以互换) 0 1 on on 要看kp和kn的大小来判断Y是充电或放电 1 0 off off Y 是高阻抗态 假设kn>kp，所以A:0 B:1 时 Y充电到1 ───── │B\A│0│1│ 同上面的问题 ───── 请问高阻抗态时要怎麽在图上列？ │0 │0│?│ Y的式子要如何写呢？ ───── │1 │1│1│ ───── ex. B' │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ A' 当A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充电到1 1 1 off on Y 放电到0 0 1 on on 要看kp和kn的大小来判断Y是充电或放电 1 0 off off Y 是高阻抗态 假设kn>kp，所以A:0 B:1 时 Y充电到1 ───── │B\A│0│1│ 同样的问题 ───── 请问高阻抗态时要怎麽在图上列？ │0 │1│?│ Y的式子要如何写呢？ ───── │1 │1│0│ ───── 最後还有个问题就是.. 我看94年中兴电机考的一个题目 考古题解答写了一个化简 C │ │─ C A ─○││ kp │ │─ │─ │ → A+B ─○││ kp/2 │ │─ │─ │ B ─○││ kp Y │─ │ Y Y │ ──── Y │ │ │ │─ ─│ │─ A ─││ kn kn ││─B → A+B ─││ 2kn │─ ─│ │─ │ │ │ ──── D │ D 请问为什麽可以这样化简呢？ 那是不是可以推广成以下： C │ │─ C A ─││ kn │ │─ │─ │ → A*B ─○││ kn/2 │ │─ │─ │ B ─││ kn Y │─ │ Y Y │ ──── Y │ │ │ │─ ─│ │─ A ─○││ kp kp │○│─B → A*B ─○││ 2kp │─ ─│ │─ │ │ │ ──── D │ D --

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