: http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw : 令我不了解的是： : 页面上说Floating Gate被氧化层包围而绝缘，但是又会抓住任何在Floating Gate : 上停留的电子，并且在一般的状态下可以经过好几年。 : 既绝缘又会有电子跑进去？这是不是有什麽没有叙述完呀？到底电子是怎麽跑进去 : 的呢？还请强者大大代为说明一下，感谢。 : --- : 抱歉，我好像看到段落後面说明了。如果 I_DS 够大的话，会有「热电子」跑到 : Floating-Gate 。 : 不晓得我有没有看错... 。不过，那个热电子还真强阿，到处跑的。 身为一个flash memory designer的我，就简单的补充一下。 1.电子的进入主要是依量子物理中的穿遂效应(tunneling effect)。 这些电子要进入floating gate的机率是非常低的，所以又称幸运电子(lucky electron 可能几千几百颗之中才有不到10颗克服种种困难才得以进去。 2.该floating gate的材料是比较特别的，有比较深的位能井，可以捕捉这些幸运电子 如氮化矽(SiN)。 3.热电子当然会到处跑，这是缺点也是优点。对MOS元件而言，这是缺点，而且是非常 不好的效应，它会造成substrate的damage与leakeg，甚至让MOS失效或老化。 但应用在memory，却又是它的迷人之处。藉着控制这些"幸运"的热电子， 我们才有机会改变储存装置的功能，好比你控制篮板球，就能掌握整个比赛一样。 4.Flash memory的操作方式就三种:写入*(Program),抹除(Erase)与读取(Read) (*注:也有人说写入是write，但write指的是program与erase两种) ps.在结构与设计上的不同，对於erase与program我们可分为channel hot electron injection,简称 CHEI，中文读音近"去"与Fowler-Nordheim tunneling，简称 FN-tunneling。前者的优点是较快的写入速度，但比较耗电流，而後者则相反。 (请自行google或wiki，以上不再详述。) 5.一般这些电子可以存在的年限约10年左右，而每一次的erase/program， (就是进出floating gate，都是对绝缘层是一种伤害)，大概可以让你进出 约100,000次。前者我们称为资料保存性(data retention)，後者是耐久性(endurance) 这也是flash要取代硬碟，必须要克服的难题! 6.另外，你的链结网页上的图片是所谓的split gate的flash，另一种常见的则是 stack gate。(split gate是SST的专利元件。) 就电路设计而言，split gate比起stack gate是非常简单的，主因之一是它没有 over erase的问题，所以就不用另外作个电路与algorithm去解决它，但缺点是， 这种元件所占的面积比较大。 最後，flash memory的瓶颈不在电路，而是在制作元件所使用的材料与制程， 尤其是在90nm以下。传统的stack/split gate大概弄到45nm就算是它的极限了， 所以现在开始有相变化(PCM),或是其他什麽的研究。 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台弯郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 203.66.222.12