作者WeCanGo (Full_Bridge)
看板Electronics
标题Re: [问题] 电晶体MOS烧坏
时间Sun Oct 14 01:35:18 2007
※ 引述《tutowuu (只有努力)》之铭言：
: 请问各位
: 如果说电晶体(MOS)因为瞬间电流过大
: 导致电晶体烧坏
: 1.请问是哪里烧坏? 端点 制程里面layer.....
: 2.还有还有哪些原因导致烧坏
: 谢谢大家
是Power Mos?吗？
因为我们实验室常常用Power Mos 我只知道Power Mos坏掉的判别方法
1.Driveｒ打坏，这时候Vgs会短路 但是Vds可能没有
打坏的可能有Vgs超过额定电压(杂讯)，或是Mos为压控元件他只需要一点点的电流
去向G脚驱动，如果你前端的限流电阻太小就会使电流灌进去打穿SiO2
则有可能造成Vgs Vds全部短路，但是这种坏法并没有声音。
2.ds脚过压，或Vds短路这种是大电爆 通常是接错了 或是短路会有一点声响。
3.ds过流 ，是你额定电流没算好或是误动作.短路之类的，直接飞 超大声
整个实验室都知道 "囧"
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两年光阴，掌握未来十年，未来就在手上。
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◆ From: 219.84.85.106
1F：推 yourhusband:第三点已经不怕了啦..被拍手游戏吓大了=.= 10/14 13:32
2F：推 yourhusband:比较害怕的是变压器乱叫Q________Q 10/14 13:37
3F：推 eulong:直接炸飞还满少见的，Vgs通...挂，Vds通也挂，没通应该是没 10/14 23:24
4F：推 yourhusband:炸飞喔...很简单的...楼上你Flyback直接送250V就可以 10/14 23:41
5F：推 eulong:还是不会飞！跟我说鸟话，请问一下公海到了没？ 10/14 23:46
6F：推 yourhusband:哭哭..公海到了啦 不会飞直接送380!! 10/14 23:48