不好意思 因为之前的文章不好修改 所以再开一篇 我是把mos当作sw用 主要就是要比较 单颗mos 和transmission gate 哪一个比较好 答案是 transmission gate 因为电阻会越并联越小 而且可以互补 能力不足的地方 再来就是想要用hspice 来验证 目前做的有点没有头绪 所以把程式打上来 希望可以帮我指点 ***nmos_Ron*** vcc vdd gnd dc 3.3 .param wn=3u wp=3u k=1 mn1 d g s gnd nch l=0.35u w='wn*k' vin d gnd dc 1v vg g gnd dc 3.3v c1 s gnd 1p <---这个接电容不知道有没有错 不知道怎麽处理才好 .dc vin 0 3 0.01 $sweep k 1 10 1 <---应该是用.DC分析吧 .print dc I(vin) v(d,s) Res=par('v(d,s)/I(vin)') .end 还会遇到一个问题 就是这样写 Vd电压会等於Vs 电阻等於0 可是好像也不能输出接一个电阻 这样会有分压效果 刚开始接触 观念还不是很好 希望 可以帮我解答一下 谢谢 --

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