作者PDADDY (All Eyez On Me)
看板ChemEng
标题Re: [请问]氢氟酸与矽
时间Thu Nov 6 20:41:01 2008
※ 引述《cellowu (cellowu)》之铭言:
: ※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之铭言:
: : HF和silicon本来就不会反应
: : HF主要是和silicon dioxide反应
: : 如果是一般市售的silicon wafer(厚度大约200~300micro)
: : 丢进HF溶液理 的确有机会飘浮在水面
: : 不过是因为表面张力的关系
: : 你去推一下wafer 改变他的平衡 就会沉下去了
: : 如果是你丢进去 下沉再浮起来 就是有反应了
: : 不过不是silicon 和HF的反应
: : 而是silicon表面在空气中自然形成的silicon dioxide和HF反应
: : wafer背面和正面都会有小汽泡 因此wafer就会浮起来了
: : 一般人可能会觉得抛光後应该就没有氧化层了
: : 的确是这样没错 不过放在空气中还是会继续生成氧化层
: : 判断silicon wafer表面有没有氧化层的方式
: : 一般是用亲疏水性来判断
: : 不过如果表面抛光品质够好 就算有50~100nm厚度的氧化层
: ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: 一般的的wafer 之氧化层会呈疏水性,要先吃过HF他会先变亲水性(这时还是氧化层)
: 最後再变回疏水性(无氧化层)
这个部份我觉得怪怪的
所谓一般wafer的氧化层是指native oxide(1)
还是指PECVD覆盖上去的氧化层(2)
还是通氧气在高温之下 silicon wafer表面形成的氧化层呢?(3)
因为不论是市售的wafer或是实验室自己生长切片後的wafer
在1或是3的状况之下 都是呈现亲水性
经过HF清洗之後呈现疏水性
但是在经过化学抛光之後
1和3都是呈现疏水性
也就是说经过抛光手续之後
不论是natice oxide或是通氧生成的oxide
都是呈现疏水性质的
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这不关於东岸或是西岸,而是关於兄弟和女人,权力和金钱,领导者和卒仔.......
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