在日前於美國加州舉行的2011年台積電技術研討會(Technology Symposium)上，該公司透 露了更多有關 18吋晶圓製造計畫的細節。根據業界消息，台積電正全速進軍 18吋晶圓技 術領域，主要目的除了在於降低製造成本，也試圖藉此領先諸如Globalfoundries、三星 (Samsung)、聯電(UMC)等競爭對手一步。 台積電進軍18吋晶圓技術領域還有另一個動機；根據該公司資深研發副總裁蔣尚義 (Shang-Yi Chiang)的說法，一旦進入18吋晶圓時代，該公司所需的工程師人數也將減少 ；他在接受EETimes訪問時表示，台積電進入18吋晶圓製造約需十年的過渡期，屆時所需 的工程師人數會比現在少7,000人。 蔣尚義指出，台積電進軍18吋晶圓製造有兩個考量：首先，該公司認為隨著時間推移，將 越來越難招募到「好的工程師人才」；其次，台積電最後僅需要少數幾座18吋晶圓廠，就 能在未來滿足客戶的需求。與12吋晶圓廠相較，新一代晶圓尺寸整體生產力預計可增加 1.8倍。晶圓廠變少，就不需要那麼多工程師。 另一方面，台積電也預期將增加研發與資本支出，特別是在該公司持續致力於縮短製程技 術學習曲線。而估計18吋晶圓廠營運成本約需100億美元，相關製程設備成本也將飆升。 蔣尚義表示，台積電的18吋晶圓製造將起始於20奈米製程節點；該公司一開始打算在新竹 的Fab 12晶圓廠建置一條18吋晶圓試產線、採用20奈米製程，時程大概在2013到2014年間 。而屆時台積電的12吋晶圓廠也將進入20奈米製程；蔣尚義表示，該公司的20奈米製程初 產事實上也將以12吋晶圓廠為主。 接下來，台積電計劃在台中建置首座18吋晶圓廠，也就是Fab 15，量產時程預定在2015到 2016年之間。在起步階段，該18吋晶圓廠會採用20奈米製程，然後進入14奈米節點；而到 14奈米節點，台積電打算在電晶體結構上進行轉換。 在20奈米及以上節點，台積電將繼續採用傳統以bulk CMOS為基礎的平面電晶體，但從14 奈米節點開始，該公司將由bulk CMOS轉向FinFET 結構。也就是說，未來台積電將在Fab 15進行14奈米FinFET的量產。 http://ppt.cc/;8S, http://www.eettaiwan.com/ART_8800639934_480202_NT_77a977eb.HTM --

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