http://it.sohu.com/20100201/n269980562.shtml 三星電子推出首個30納米DRAM記憶體晶片 來源：新華網 2010年02月01日21:15 新華網首爾2月1日電（記者班威）韓國三星電子1日說，該公司已成功研製出世界上首個 30納米DRAM記憶體晶片，容量為2兆，並計畫今年下半年批量生產。 三星電子當天發表聲明說，今年第一季度，第三代記憶體晶片（DDR3）將成為市場主流， 而三星電子利用30納米工藝將可以生產目前最先進的低耗電量第三代記憶體晶片，從而使 公司在記憶體市場上保持最具競爭力的地位。 三星電子說，這一新產品的生產率比40納米DRAM記憶體晶片提高了60％，耗電量僅相當於 50納米級和40納米級技術的70％和85％。 三星電子錶示，從40納米級到30納米級技術，三星電子只用了1年時間就研製成功，比從 50納米級到40納米級所用28個月的時間大大縮短。 責任編輯：王亞紅 --

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