想請問一個關於MOS電容的問題 電容的impedance會有相角 當相角接近-90度時候 表示說 impedance 大部分是因為reactance造成 而越是接近0度 表示說大部分是因為resistance造成的 根據我的經驗 前者通常會發生在良好的電容上 然而後者往往發生在 有比較多缺陷的電容身上 我知道reactance是虛數的部分 而 resistance是實數的部分 但是不管是哪一個的上升都會導致impedace的增加 我想請問 為何reactance dominated的情況都是發生在良好的MOS電容身上呢? 有辦法從物理意義上去想像嗎?? 謝謝! --

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