作者gauss760220 (宅哥)
看板comm_and_RF
標題[問題] 半導體物理
時間Thu Nov 13 08:26:09 2014
Q1.欲將N型半導體電性改成P型半導體，有哪幾種做法?
[想法]摻雜3價原子(ex.硼)，數量超過原先的5價原子
可藉由擴散或是離子植入的方式
不知道除了這兩種做法以外還有其他的嗎?
Q2.DRAM記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為1μm2，且電容具
4nm的SiO2介電層，又工作電壓為2V，請問有多少電子儲存在記憶體單元?
(SiO2介電常數:3.9)
[想法] 先求C，C=εA/d。 又Q=CV可得Q，再由Q/e可得儲存的電子數目(e為基本電荷量)
這題不列解題過程了，純粹討論解題方式正不正確?
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※ 編輯: gauss760220 (122.118.62.2), 11/13/2014 08:36:26