作者kj66 (冬天到來)
看板comm_and_RF
標題[問題] MOS的閃爍雜訊
時間Thu Jan 15 22:59:54 2009
請問我在paper看到說電路用PMOS會比NMOS
用來降低1/f會比較好,可是沒說為什麼,
我有去查Razavi的類比積體電路,雜訊這一章節有提到
不過好像只說一些,好像跟buried channel有關?
謝謝
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電學觀念太淺了
不好意思= =
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.134.87.59
※ 編輯: kj66 來自: 220.134.87.59 (01/15 23:01)
1F：推 transntu:因為PMOS主要靠電洞傳導，而閃爍閘訊主要 123.240.231.22 01/16 07:37
2F：→ transntu:靠表面的那一層多出的量子態來不捉電子 123.240.231.22 01/16 07:38
3F：→ transntu:或電洞，因為電洞等校質量比較大，被捕捉 123.240.231.22 01/16 07:38
4F：→ transntu:或釋放的的機率比較小，所以雜訊較低。 123.240.231.22 01/16 07:39
5F：→ kj66:感謝T大回答,謝謝122.118.156.235 01/16 22:57