作者lionssy (棉花糖小蛋蛋)
看板comm_and_RF
標題[問題] On wafer和bond wire的量測差異
時間Wed May 16 03:11:51 2007
請問各位高手
為什麼我的VCO
bond wire的量測結果比on wafer的量測還要好呢?
不是應該都比較差嗎???
怎麼會這樣阿
有高手可以幫我解答嗎??
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.68.164.41
1F：推 mpthree:on wafer 不用考慮bond wire 1~2nH效應 140.113.170.84 05/16 08:53
2F：→ lionssy:我知道呀 但是就是因為bond wire會有1~2nH 203.68.164.41 05/17 00:44
3F：→ lionssy:所以應該會比較差吧 203.68.164.41 05/17 00:47
4F：→ sexyman:不一定會比較差吧 59.112.0.133 05/17 01:14
5F：→ cpt:bond wire 跟 on-chip spiral 比, Q 高很多 128.237.235.2 05/19 12:04