作者uuZb793 (雨燕的巢穴)
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標題[新聞] 半導體資本支出創新高 DRAM增幅最大
時間Sat Sep 2 10:00:57 2017
半導體資本支出創新高 DRAM增幅最大
(中央社記者張建中新竹1日電)研調機構IC Insights 預估,今年全球半導體資本支出
金額將達809億美元,創下歷史新高;其中,DRAM資本支出將激增53%,是增加幅度最大的
產品領域。
今年上半年半導體資本支出大幅增加,IC Insights將今年度半導體資本支出預估金額,
自先前的756億美元,調高到809億美元,較去年增加20%,將一舉刷新歷史新高紀錄。
IC Insights預估,今年動態隨機存取記憶體(DRAM)資本支出金額將達130億美元,較去年
大增53%,將是增加幅度最大的領域;儘管這些支出主要用以推進技術,不過,海力士
(SK Hynix)也將增加產能。
儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年資本支出將達190億美元,仍將高於DRAM的水準,也
將較去年增加33% ,IC Insights認為,NAND Flash的資本支出將主要投入3D NAND Flash
製程技術。
晶圓代工今年資本支出約228億美元,將較去年略增4%,是半導體資本支出金額最多的領
域,所占比重將達28%。1060901
http://www.cna.com.tw/news/ait/201709010035-1.aspx
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