作者hellowworld (hello~world)
看板Tech_Job
標題[請益] 關於D ram 廠目前的device
時間Tue May 12 23:41:22 2015
眾所皆知，d ram 廠的微縮速度比ㄧ搬晶圓
代工廠快，那想請問現在在d ram 廠的RD
devices team ，以後d ram 也會用finfet
device, 或是繼續跟著台積device 10/7
nm 的走向嗎？
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1F：→ hotsaucecing: 不會 05/13 00:05
2F：→ hellowworld: 請問樓上，那還是用planer mosfat嗎？ 那這樣如何微 05/13 00:15
3F：→ hellowworld: 縮下去呢？ 05/13 00:15
4F：推 FinFET: 會問這問題表示你不熟元件 05/13 00:46
5F：推 FayX: FinFET本人都出來了!! 05/13 00:52
6F：推 sugoi5566: Capacitance 和 transistor 不同 05/13 01:13
7F：→ Godmyfriend: Field Effect Transistor 抱歉有錯字就想糾正的習慣 05/13 01:19
8F：推 outzumin: 基本元件不同FinFET vs floating gate FET m06xu3u,31j4 05/13 06:16
9F：→ outzumin: 原理也不同 FinFET要降漏電 floating gate要調Vth 05/13 06:16
10F：→ outzumin: DRAM用FinFET要怎麼存資料? 05/13 06:19
11F：→ outzumin: 作業自己寫吧 05/13 06:19
12F：→ hellowworld: 想問的是說，以往當做d ram開關的 MOSFET 會被新的fi 05/13 11:04
13F：→ hellowworld: nfet之類來取代了嗎？ 05/13 11:04
14F：→ jannine: 為什麼要空那麼大一格.. 05/13 12:27
15F：→ octy: 應該是拉長音的概念~ 05/13 16:24
16F：推 maja5: 現在cell transistor 就已經是類似finFET的概念了 05/13 20:19
17F：推 maja5: 6F2早就脫離planer transistor的設計了 05/13 20:22
18F：→ sambible: 我待过imi 跟ntc 6f2 有脫離嗎？ 05/14 00:40
19F：推 sambible: MU 是利用斜排放式擠6f2 05/14 00:42
20F：推 sambible: Dram 跟flash 算HF logic 算min size 05/14 00:44
21F：噓 sambible: 但是目前台灣 T & U 微影製程屌打台灣dram, 眾所皆知 05/14 00:49