作者zellez (浪漫飛行)
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標題[討論] SSD 耐久度測試 25nm VS 34nm
時間Sat Aug 20 00:44:24 2011
原文出處：
http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?271063-SSD-Write-Endurance-25nm-Vs-34nm
縮網址：
http://tinyurl.com/3vybsa9
在國外論譠剛好看到有網友在做寫入測試
就轉來和大家分享
目前寫入仍持續進行中
25nm的FLASH官方說法是可以抹除3000次的壽命
但M4 64G目前SMART的資料上是顯示平均5228次：
(註：Marvell晶片88S9174是用靜態抹除-Static Wear-leveling
應很接近實際上的抹除次數。)
共寫入了304TB的資料。
而intel 320 40G是用動態抹除(Dynamic Wear-leveling)的方式
也寫抹除了8047次。(SMART訊息沒有，應該他們自己推算來的。)
共寫入了284TB的資料。
個人感想：
34nm官方說法是可抹除5000次，論譠上測試X25-V也寫了236TB。
我個人平常的使用上只把IE設在RAMDisk上，其他分頁檔也沒什麼轉。
24小時開機正常使用，沒下載什麼東西在SSD上，用軟體監測24小時，
約寫入4GB。所以就算要把25nm的FLASH寫壞，是不太可能的事。
大多應該週邊的電路故障比較有可能。
再者，SSD較新的控制晶片論效能跟韌體的優化，還是會比上一代好。
如M4跟C300，及X25-M跟320。
像X25-M跟320同樣用PC29A這顆控制晶片，但寫入放大就由1.06到1.02。
當然這也有可能是誤差範圍，但持續寫入倒是進步不少。
寫入壽命我想已經不是考量的重點了，應該效能上即控制晶片的考量。
像有段時間的控制IC - 像Indilinx的Barfoot跟S3C29系列的，
寫入放大差，隨機存取效能也不是很好，我想演算法一直在進步改良，
它們平均抹除運算，應該也落後了不少。
目前看看，還是考慮Mavell、Intel跟Sanforce的方案。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 219.85.199.56
1F：推 lordmi :推，很有趣的實驗 08/20 11:04
2F：推 windflye :push 08/20 11:39
3F：推 felaray :這下應該不用太擔心耐久問題了.. 08/20 12:08
4F：推 RIFF :那..怎麼品牌機極少搭配ssd? 08/20 14:13
5F：推 coolcliff01 :現在事後諸葛來看 寫入壽命並沒有想像中短 反而是其 08/20 16:12
6F：→ coolcliff01 :他沒人提到的因素較可怕 像掉電保護 分位掛掉之類的 08/20 16:13
7F：→ coolcliff01 :品牌機不普及我猜是因為只有"玩家"願意以容量換速度 08/20 16:15
8F：→ coolcliff01 :或SSD加掛傳統硬碟 同一張DM 一台1T另一台160G SSD 08/20 16:17
9F：→ coolcliff01 :一般不懂電腦的人應該會選前者 08/20 16:17
10F：推 sai25 :我使用8個月 寫入2.84TB了 08/20 19:43
11F：→ ysfang623 :樓上 那你要用800個月才有284TB 還在測試範圍XD 08/21 09:50
12F：推 sai25 :話說 好像不常看到ssd的災情?有人最近的ssd掛掉的嗎 08/21 22:57
13F：→ meishan31 :買的人太少太少了 08/27 21:03