作者TCB006 (\存股合庫/\榮耀呆灣/)
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標題[新聞] 缺貨潮未解 車用DRAM告急
時間Mon Jan 26 12:19:19 2026
原文標題:缺貨潮未解 車用DRAM告急
原文連結:
https://www.ctee.com.tw/news/20260126700132-430501
發布時間:2026/1/26
記者署名: 李娟萍
原文內容:
近期DDR4、DDR5報價急升,成熟製程記憶體不僅未因世代更替而走弱,反而出現「舊世代
比新世代更貴」的罕見現象,外資巴克萊在最新車用半導體報告中示警,車用DRAM也出現
缺口。
巴克萊指出,全球DRAM短缺的根源,是AI資料中心對DRAM,特別是HBM需求急速升溫,迫
使三星、SK海力士與美光等三大記憶體廠將產能優先轉向高毛利HBM,犧牲車用與消費性
電子用的較低毛利DRAM。
目前三大廠合計占全球DRAM市場約90%,供應車用DRAM約88%,但車用僅占其營收不到5
%,在產能無法短期擴張下,車用DRAM自然將成為被擠壓的邊際市場。
巴克萊預期,三大廠於2026年將全面轉向HBM,車用DRAM供給將持續承壓。
從價格表現來看,DRAM漲勢已呈現非線性。依Bloomberg指數,截至2026年1月,DDR4年增
率高達1,845%,相較2025年6月漲幅逾1,099%,甚至高於DDR5的465%,顯示成熟製程
DRAM已不再遵循傳統技術世代價格曲線,而是進入「供給受控型價格爆發」階段。
巴克萊指出,原先市場預期車用DRAM在2026~2027年的價格漲幅為30~100%,但實際現
貨價格已遠高於此水準,顯示原先預估過於保守。巴克萊進一步指出,DRAM成本對電動車
的影響遠高於燃油車,對中階EV(如Tesla Model 3/Y)甚至可能上升至整車BoM約1%。
在極端情境下,若DRAM價格年增500%,高階EV單車DRAM成本可能由2025年的200美元升至
1,200美元,單車成本承壓高達1,000美元。
在OEM中,Tesla與Rivian被視為最曝險者,因其採用Zonal/中央運算架構與高階ADAS系
統,DRAM含量顯著高於傳統車廠。S&P亦指出,Tesla為全球DRAM單車價值最高的OEM。
其次為BMW、Audi與Mercedes等德系豪華品牌。
心得/評論:
記憶體 非常緊缺!
不僅消費市場受打擊,連全球車市都大受打擊!在漲價的情況下,缺到2027年!
記憶體 只能繼續漲價!!老鐵們 趕快買進記憶體,享受財富自由!!
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