原文標題： 記憶體漲不停 DRAM Q1合約價再漲5成、NAND也漲逾3成 原文連結： https://news.cnyes.com/news/id/6298467 發布時間： 2026-01-05 14:41 記者署名： 鉅亨網記者魏志豪 台北 原文內容： 研調機構 TrendForce 今 (5) 日發布最新預測，2026 年第一季由於 DRAM 原廠產能轉進 先進製程與伺服器、HBM 應用，以滿足 AI 伺服器需求，其餘市場供給嚴重緊縮，預估整 體一般型 DRAM (conventional DRAM) 合約價將季增 55-60%；NAND Flash 則因原廠控管 產能，和伺服器強勁拉貨排擠其他應用，估計各類產品合約價持續上漲 33-38%。 研調表示，第一季 PC DRAM 儘管面臨整機出貨下修和降規導致記憶體需求成長放緩，但 DRAM 原廠同時收緊對 PC OEM 和模組廠的供應，造成部分 PC OEM 須以更高價向模組廠 採購，預計將墊高原廠模組行情，大幅推升 PC DRAM 價格。 而 AI 推論帶動的伺服器建置持續驅動美系 CSP 採購，業者 2025 年底起持續向原廠釋 出拉貨或追加伺服器 DRAM 需求，更因過往成交紀錄、需求展望較佳，獲得原廠位元供給 的年增幅較大。 研調認為，在原廠庫存水位見底下，出貨規模成長僅能依賴晶圓廠提升產出，加劇供不應 求態勢，預期第一季原廠將積極調漲伺服器 DRAM 價格，季增逾 60%。 手機品牌即便在淡季對記憶體需求不強，但因手機 DRAM 供給緊縮情況難在短期內改善， 且未來數季合約價可能再升高，品牌於第一季維持較強拉貨力道。預計 LPDDR4X、 LPDDR5X 皆呈現供不應求、資源分配不均情況，價格走強。 Graphics DRAM 因 NVIDIA RTX 6000 系列銷售目標下調，和部分 PC OEM 下修出貨規劃 ，需求動能轉趨保守。然而，其產能受製程高度重疊的 DDR5 排擠，供應偏緊帶動價格上 揚。 在整體 DRAM 供給緊繃的情況下，消費性 DRAM 客戶為降低未來缺貨風險，願以較高價格 換取原廠第一季的優先供應，但因部分供應商擴產態度謹慎，且後續須保留一定產出給高 容量產品，短期仍是供給低於需求，支撐價格上漲。 NAND Flash 方面，TrendForce 表示，第一季因預期筆電出貨季減，且部分中低階機種出 現 SSD 容量降級以壓低 BOM cost 情形，影響客戶端 SSD 需求。然因原廠追求利潤最大 化，客戶端 SSD 供給受資料中心 SSD 排擠，以高性價比的大容量 QLC 產品供應最緊， 預估第一季客戶端 SSD 合約價仍將季增至少 40%，漲幅為各類 NAND Flash 產品之最。 由於北美 CSP 業者加碼 AI 基礎建設，2026 年全球伺服器市場將迎來成長高峰，帶動企 業級 SSD 需求，預期將成為 NAND Flash 最大應用。然供應商因產能有限，採取獲利優 先與控制出貨策略，供給緊縮格局深化，推升企業級 SSD 價格。 在 eMMC/UFS 部分，因 2025 年上半年的手機促銷已提前消耗買氣，加上目前第一季市場 處於庫存調整期，預估手機出貨量將明顯季減。即便另一主要應用 Chromebook 的出貨量 受惠於政府標案而逆勢成長，eMMC/UFS 需求仍略顯疲弱。供給面因原廠產能占比持續縮 減，雖有模組廠能舒緩部分壓力，整體仍是供不應求。 NAND Flash wafer 因消費類產品、零售市場表現低迷，且歷經 2025 年第四季的激進調 漲，預期 2026 年第一季需求走弱。不過，由於原廠優先將產能投入高毛利產品線，壓縮 對模組廠的 wafer 供應，價格持續上漲。 心得/評論： TrendForce今天發布最新預測 , 2026第一季DRAM合約價將季增55-60% NAND FLASH則因原廠控管產能以及伺服器強勁拉貨排擠, 各類商品合約價將上漲33-38% 在整體 DRAM 供給緊繃的情況下，消費性 DRAM 客戶為降低未來缺貨風險，願以較高價格 換取原廠第一季的優先供應 另外客戶端SSD合約價也將季增至少40% , 企業SSD也持續漲價 eMMC/UFS部分，需求仍略顯疲弱。供給面因原廠產能占比持續縮減 雖有模組廠能舒緩部分壓力，整體仍是供不應求。 目前各項產能都互相排擠加上部分原廠控管產能，報價只會持續升高..... --

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