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原文標題: 三星研發新型 NAND 快閃記憶體技術,功耗暴降 96% 原文連結: https://www.ithome.com/0/900/747.htm 發布時間: 2025/11/27 16:40:56 記者署名: 遠洋 原文內容: IT之家 11 月 27 日消息,三星宣佈其研究團隊在儲存技術領域取得重大突破,成功開發 出一種新型 NAND 快閃記憶體結構,可將功耗降低逾 90%。該成果有望重塑人工智慧資料 中心、移動裝置及其他依賴儲存晶片的終端產品的未來。 據 ETNews 報導,三星先進技術研究院(SAIT)主導研發了這一超低功耗 NAND 快閃記憶 體技術。該新型結構創新性地融合了鐵電材料與氧化物半導體,相關研究成果已發表於全 球頂尖的多學科科學期刊《自然》(Nature)。 據IT之家瞭解,NAND 快閃記憶體是一種非易失性儲存介質,即使斷電亦可長期保存大量 資料,其工作原理是通過向儲存單元注入電子實現資料寫入。為提升儲存密度,業界普遍 採用堆疊更多儲存層的方式建構晶片,但這同時也顯著增加了資料讀寫過程中的能耗,尤 其在大規模資料中心場景中,功耗問題已成為亟待解決的關鍵瓶頸。 而三星研究團隊成功攻克了這一難題。氧化物半導體因閾值電壓不穩定而難以控制,過往 被視為技術障礙;然而,研究團隊另闢蹊徑,將其與鐵電結構協同設計,變“劣勢”為優 勢:鐵電材料具備自維持電極化特性,無需持續供電即可保持狀態。 得益於此項創新設計,新架構實現了高達 96% 的功耗降幅。三星表示,該突破完全依託 其內部自主研發,由三星電子 SAIT 與半導體研究所共計 34 名研究人員共同完成。 “我們已驗證了實現超低功耗 NAND 快閃記憶體的可行性。”三星電子 SAIT 研究員、本 研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示,“在 AI 生態系統中,儲存器的角色日益關鍵。未來 我們將持續推進後續研究,目標是實現該技術的商業化落地。” 與此同時,三星正著力提升其儲存業務盈利能力。面對 DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產品需求持續攀升及價格上漲的市場環境,公司將重點最佳化高附加值產品的供應 策略,以強化盈利結構。 心得/評論: 三星在《自然》發表一篇基於FeFET的超低功耗記憶體技術 https://www.nature.com/articles/s41586-025-09793-3 這種新型FeFET記憶體在傳遞電壓幾乎為零的條件下 仍能實現每單元最多5bit的多階儲存能力 達到甚至超越現有NAND水準 與傳統 NAND相比 最高可節省 96% 的功耗 三星電子今天股價103500 +0.68% --



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1F:推 Healine : 真假? 11/27 17:59
2F:推 aaa80563 : 記憶體委屈了 11/27 18:00
3F:推 qazxc1156892: 已反應 11/27 18:00
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5F:推 nisi0773 : 說個笑話 常溫超導體 11/27 18:01
6F:推 cleanx : 台廠不長進 11/27 18:03
7F:推 Lowpapa : 反觀 11/27 18:03
8F:推 james80351 : 鄉民都瞧不起三星 一定是假的 11/27 18:04
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10F:推 d0089145 : 華邦旺宏威剛 11/27 18:08
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12F:推 arnold3 : 記憶體要崩了嗎 11/27 18:10
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14F:推 otis1713 : 等更多消息吧?莫忘常溫超導體 11/27 18:12
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18F:推 mustafa : 台廠準備一根 11/27 18:18
19F:推 betrayer : 等能量產再吹 11/27 18:18
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30F:噓 pf775 : 還不是被臺積電屌打 11/27 18:35
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37F:推 war02090318 : 三星下一代Memory跟flash,都會彎道超車,不要不信 11/27 18:47
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40F:推 dodoning : 台廠只能等美光 11/27 18:48
41F:推 qw2974 : 沒量產以前台廠都有肉撿,現在是嚴重缺貨 11/27 18:52
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44F:推 relax1129 : 韓國研發消息都快跟英國研究一樣 11/27 19:08
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67F:噓 airphone : 全世界大概只剩台灣仇韓還在瞧不起三星 11/27 23:01
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