原文標題： 三星的逆襲！大摩：HBM4技術領先提前爆發 明年獲利將衝150％ 原文連結： https://www.ctee.com.tw/news/20251124701136-430704 發布時間： 2025.11.24 14:45 記者署名： 方明 原文內容： 摩根士丹利（大摩）發布最新報告指出，三星電子在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術追 趕已全面完成，不僅HBM3e已向所有AI計算客戶出貨，下一代HBM4亦進入多重資質認證流 程，首批結果預計將於12月初出爐，將成為三星股價的重要催化劑。 大摩表示，三星憑藉1c DDR5前端技術、4nm邏輯基礎晶粒與低功耗優勢，在HBM4產品表現 與高速>11Gbps規格上具技術領先地位，加上涵蓋DRAM、代工與封裝的端到端生產能力， 有望快速擴大市占。 在供應面，三星DRAM有效產能達50萬片、月總產能約65萬片，遠超競爭對手，使其再度掌 握記憶體市場主導權。DRAM訂單履約率目前僅約70％，能見度已延伸至2026年上半年。 報告也指出，儘管三星在供給端握有龐大優勢，但公司管理層刻意採取「更理性」策略， 不一味追逐市場熱潮，而是選擇與關鍵客戶合作，按照真實需求調整供給；旗下P4廠房超 過10萬片/月的設計產能，更為DRAM與代工兩大業務預留充足擴張空間。 此外，三星代工業務亦出現回溫，2nm製程接獲多筆訂單，利用率改善帶動獲利回升，雖 然產量仍需逐季提升，且尋求特斯拉以外的大客戶仍是當前首要任務，但大摩認為三星代 工的整體前景「明顯好轉」。 大摩預估，在供給吃緊的環境下，三星具備更強的定價能力，2026年每股盈餘（EPS）將 達14,464韓元，較目前市場共識的9,800韓元高出將近50％，若以2025年為基期，獲利更 有望暴增超過150％。 心得/評論： 三星電子只用兩季的時間就重返記憶體龍頭寶座 現在大摩報告指出HBM4技術領先 說明三星電子的研發方向正確 DRAM方面產能遠超競爭對手並且供不應求訂單履約率約70% AI方面根據這篇 https://bit.ly/3LXS03g 節錄: 咸（Ham）大師表示：「在端側（On-Device）AI中，最大的瓶頸是記憶體頻寬和儲存裝置 的存取速度。」他說：「我們正在開發能智慧地調節記憶體與運算之間平衡的最佳化技術 。」 例如，並非把所有資料都放進記憶體中，而是設計成只在需要的時候才載入，藉此提升效 率。 咸大師補充說：「三星研究院已具備能讓參數規模達 300 億（30B）、模型大小超過 16GB 的生成式模型，在不到 3GB 記憶體下運行的技術水準。」 咸明柱大師表示：「在端側（On-Device）AI時代，核心競爭力在於如何用相同的資源提 取出更高的效率。能在小小的晶片裡實現最大的智能，就是我們應該追求的技術方向。」 目前大多數大型語言模型都以「Transformer」架構為基礎。Transformer 會一次性檢視 整個句子並計算詞與詞之間的關係，雖然在理解語境方面十分優秀，但其缺點是：句子越 長，計算量會呈指數級成長。 咸明柱大師指出：「為了克服 Transformer 架構的限制，我們正在檢討各種技術途徑， 同時以 ‘在實際裝置中能有多高的效率’ 為核心進行評估。」他強調：「我們的目標不 只是改善既有方法，而是引入全新的方法論，打造『下一階段的架構』。」 --

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