原文標題：修改部分設計，三星第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發完成延後半年 ※請勿刪減原文標題 原文連結： https://bit.ly/4gnb4lb ※網址超過一行過長請用縮網址工具 發布時間：January 21, 2025 by Atkinson ※請以原文網頁/報紙之發布時間為準 記者署名：January 21, 2025 by Atkinson ※原文無記載者得留空 原文內容： 根據韓國媒體 MoneyToday 的報導，記憶體大廠三星已將第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程 開發完成的日前順延六個月到 2025 年的 6 月份。最初，三星宣布第六代 10 奈米級 1c D RAM 製程已經於 2024 年年底完成開發，並計劃開始量產。然而，後續的生產良率並沒有增 加，導致開發時間再延遲半年左右。而一旦開發無法按計畫進行，原定於 2025 年下半年量 產的第六代高頻寬記憶體（HBM4）也可能會受挫。 報導引用市場人士的說法表示，三星的第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發遇到困難。儘 管市場在 2024 年底左右，獲得了三星送交的第一個測試晶片，但因為無法達到預期的良率 ，因此將預定開發完成的時間延後六個月。而在這六個月中，三星預計將良率提升到約 70% 。根據過往業界的經驗，每一代製程的開發週期通常落在 18 個月左右。但是，三星於 202 2 年 12 月開發出第五代 10 奈米級 1b DRAM 製程，並於 2023 年 5 月宣佈量產之後，就 一直沒有 1c DRAM 狀況的消息。 報導表示，如果第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程從開發完成到量產的時間約為正常的 6 個 月時間，則三星實際量產的時間預計將在 2025 年底。而這樣的時程，幾乎也影響了三星當 前正面臨生死關頭的 HBM 產品的發展。以 1c DRAM 製程為例，其核心產品是以 DDR5 記憶 體為主，而 HBM 則是其衍生產品，開發時間會落後核心產品的時間。這代表著一旦核心產 品延後到 2025 年底量產，其 HBM 的量產可能會在 2025 年之後進行。這相較於三星先前 宣佈將於 2025 年下半年將 1c DRAM 製程用於 HBM4、並量產的情況有所改變，也影響了三 星在 HBM 市場上的競爭力。 報導強調，三星計畫在 2025 年上半年全力投入六代 10 奈米級 1c DRAM 製程的開發，以 盡快提高良率。由於競爭對手 SK 海力士則選擇了穩定的作業方式，將前一代的第五代 10 奈米級 1b DRAM 製程應用於 HBM4，因此，三星的動作齊展現了產品將飛躍進步的決心，以 進一步提高性能和能源效率。但要達成這樣的目標，最重要的就是能儘快達成量產目標。南 韓半導體產業人士指出，我們瞭解到三星正在修改 1c DRAM 製程技術的部分設計，而對這 目標三星也在盡可能的加快執行中。 (首圖來源：官網) 心得/評論： 三星是彎道翻車翻上癮了？ 「三星計畫在 2025 年上半年全力投入六代 10 奈米級 1c DRAM 製程的開發，以盡快提高 良率。」 「由於競爭對手 SK 海力士則選擇了穩定的作業方式，將前一代的第五代 10 奈米級 1b DR AM 製程應用於 HBM4」 人家用1b DRAM跟台積電合作穩穩做HBM4 三星你就硬要用下一代1c做 太喜歡彎道超車了吧？ 好吧！三星你的HBM3E繼續發燙給博通用好了 ※必需填寫滿30正體中文字，無意義者板規處分 --

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