作者madeinheaven ()
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標題[新聞] 韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM
時間Mon Jan 29 14:24:03 2024
原文標題:
韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM
原文連結:
https://www.ctee.com.tw/news/20240129700016-430705
發布時間:
2024.01.29 03:00
記者署名:
※原文無記載者得留空
原文內容:
業界人士指出,三星在美國設立實驗室,致力開發新一代3D DRAM。該實驗室隸屬總部位
於美國矽谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America,將負責開發升級
的DRAM模型,讓三星在全球3D記憶體晶片市場能居於領先地位。
心得/評論:
在這AI的時代 記憶體尤為重要
三星能做HBM 接下來就是3D DRAM了
3D DRAM能大幅提升容量 非常符合AI的需求
三星電子股價今天+1.36%
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1F:推 kenet123 : 愛普: 01/29 14:26
2F:推 kducky : 三星被掏空了QQ 01/29 14:27
※ 編輯: madeinheaven (114.44.237.135 臺灣), 01/29/2024 14:28:00
3F:推 aegis43210 : 問題是要用什麼方案,EUV太貴,佳能的方案可以嘗試 01/29 14:29
4F:→ aegis43210 : 但前途未卜 01/29 14:29
5F:→ aegis43210 : 科林的乾式光阻也可以嘗試,但最好找SK海力士一起進 01/29 14:31
6F:→ aegis43210 : 來玩,不然無法規模化 01/29 14:31
7F:推 chinaeatshit: 反觀 01/29 14:32
8F:推 ethan0419 : 美又贏 01/29 14:34
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19F:→ negohsu : 容量還高達512GB唷,啾咪。 01/29 16:39
20F:推 losage : 這樣算美國技術還是韓國技術?? 01/29 16:54
21F:噓 pf775 : 韓國人有技術? 01/29 17:17
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22F:→ lc85301 : 淘空三星 01/29 18:37