作者cjol (勤樸)
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標題[新聞] 全球首創！ 清大團隊研發出夢幻記憶體
時間Thu Mar 14 23:08:50 2019
※ [本文轉錄自 cjol 信箱]
作者: pitalvlu (pital) 看板: Gossiping
標題: [新聞] 全球首創！ 清大團隊研發出夢幻記憶體
時間: Thu Mar 14 21:15:03 2019
1.媒體來源:
自由時報
2.完整新聞標題:
全球首創！清大團隊研發出夢幻記憶體關鍵技術
3.完整新聞內文:
〔記者簡惠茹／台北報導〕清華大學工學院長賴志煌結合物理系教授林秀豪，帶著博士生
林柏宏、楊博元組成跨領域團隊，研發出夢幻磁性記憶體MRAM新一代核心技術，率全球之
先透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉，研究今年2月登上材料領域
排名第一的國際期刊「自然材料」。
動態隨機存取記憶體DRMA不僅耗電，且體積縮小逐漸達到極限，三星、英特爾、台積電等
國際大廠近年紛紛投入磁阻式隨機存取記憶體MRAM的開發，業界預估今年即將有高密度MR
AM量產，清華團隊更進一步找到最新關鍵核心技術，「透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵
磁奈米膜層的磁性翻轉」將有助於磁性記憶體容量的擴大。
由於磁性記憶體處理資料關鍵在於磁鐵的翻轉，過去僅能靠升高溫度造成翻轉，導致新一
代SOT MRAM難以達到量產，賴志煌表示，他們利用自旋流通過鐵磁、反鐵磁膜層，操控元
件交換偏壓的方向與大小來達成翻轉，技術也已經申請到美國、台灣與中國專利。
林秀豪解釋MRAM運作的原理，他說，電子不只帶電荷，還有另一項自旋特性，當電子自轉
時會產生極微小的磁矩，就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵，可以藉由小磁鐵的北極向
上或向下來決定0與1的記憶，因此，不運算時就不必供電，且就算運算到一半斷電，資料
也不會消失，未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間至少可延長一倍。
MRAM處理資料的方式，文章第一作者林柏宏說明，是透過電子自旋流來控制磁鐵向上或向
下的方向，翻轉磁鐵來處理資料，過去因為室溫下熱能會讓磁鐵震動，磁鐵太小的時候就
會抵抗不住熱能隨機翻轉，所以在上方加上反鐵磁，就像夾子一樣固定住，但是又造成翻
轉困難，只能靠升高溫度並搭配大磁場才能翻轉。
賴志煌從2009年就開始研究磁性記憶體，他說，他們的重要成果是提供新穎結構和機制，
輕鬆做到翻轉，不翻轉的時候也讓磁鐵狀態保持穩定，他們在反鐵磁下面加上重金屬白金
，電流通過會產生自旋電子流，透過自旋的軌道矩來翻轉鐵磁層，改變磁鐵和反鐵磁的交
互作用方向，控制夾子打開或夾緊。
賴志煌在投稿國際期刊時吃了不少苦頭，甚至還被懷疑是否為實驗受到熱源影響的「誤會
」，賴志煌說，他們只能拿出更強而有力的鐵證，及比最終刊出論文還長十倍的論述來佐
證，終於得到學界頂尖期刊的認可，這不僅是磁性記憶體的突破，也為自旋電子學的發展
帶來嶄新視野。
相關影音：
https://youtu.be/Z7i8us3oaVk
https://i.imgur.com/t647qhN.jpg
清華大學工學院長賴志煌（左）結合物理系教授林秀豪（右），帶著博士生林柏宏（中）
、楊博元組成跨領域團隊，研發出夢幻磁性記憶體MRAM新一代核心技術。（清華大學提供
）
https://i.imgur.com/kygsfRM.jpg
文章第一作者清大材料系博士班三年級學生林柏宏。（清華大學提供）
4.完整新聞連結 (或短網址):
http://bit.ly/2UwJjNS
心得：台灣理組真的好強
那汽車引擎是怎麼回事
要是商業化，肯定是大利多
大家看好國內哪些廠商？？
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※ 編輯: cjol (219.68.46.61), 03/14/2019 23:09:56
1F：噓 m4vu0: 2330 其他回家睡覺吧 03/14 23:16
2F：→ jbllbom: 左中右搞錯了 03/14 23:17
3F：推 bitlife: 「他們在反鐵磁下面加上重金屬白金」,感覺真的商業化成本 03/14 23:18
4F：推 aowen: 看好GG 台積 TSMC 03/14 23:18
5F：→ bitlife: 也不低 03/14 23:18
6F：→ sd810305: 能應用到商業上不知道要多久，不然只是又多題材炒股 03/14 23:19
7F：推 apolloapollo: 三星早就有了 03/14 23:19
8F：推 kline: 看到照片也覺得怪怪der 03/14 23:25
9F：→ rockken: 可能台灣都做飛機引擎 03/14 23:28
10F：推 ckw19: 常看到台灣的學生研發出什麼，但最後都不了了之 03/14 23:40
11F：→ ckw19: 是因為無法商業化嗎 03/14 23:40
12F：推 Sinkage: 台灣常有的事 研究來的東西沒有考慮量產跟商業模式是否 03/14 23:49
13F：→ Sinkage: 可行 03/14 23:49
14F：噓 m4vu0: 那期刊就學術期刊何來商業化 03/14 23:51
15F：推 aowen: 不是沒商業化 是有商業化你也不會知道… 03/14 23:59
16F：推 applexyz: 有的是有10個人再做 誰先做出 但後來幾個慢出但技術超前 03/15 00:03
17F：→ applexyz: 又商業化 03/15 00:03
18F：推 vivian168s: 工研院就是充滿這些人並產業合作啊 03/15 00:17
19F：→ yunf: 那我拿強力磁鐵在上面晃一下是不是什麼都沒了 ? 03/15 00:40
20F：→ a9564208: 拿強力磁鐵在HDD上晃看看 03/15 00:45
21F：推 azure: 研究突破歸突破，商轉效益是另一碼事，成本天險還是在那。 03/15 00:50
22F：噓 soyghcg: 會被頂尖期刊退 表示沒那麼神 03/15 01:35
23F：→ soyghcg: 商業化更不用講了 03/15 01:35
24F：→ linbryan: 只問一句,如何etching? 03/15 03:31
25F：推 springman: 不錯啊，技術與專利做好，就等看看有沒有廠商要做出 03/15 06:10
26F：→ springman: 產品，看看效果如何。 03/15 06:10
27F：→ springman: 台灣的廠商可能不想付專利費用，看美國有沒有廠商要付. 03/15 06:11
28F：推 Cramael: MRAM已經在做了啊，Pd Au本來就常用，哪有不能商業化，只 03/15 07:03
29F：→ Cramael: 是這篇沒說哪個關鍵技術而已 03/15 07:03
30F：推 tetsu2008: 嗯嗯 跟我想的差不多 03/15 07:24
31F：→ changmary: 成本低就能商業化，這恐怕還很久 03/15 07:28
32F：推 larrylin: Pt成本還算便宜的勒 如果看到Ru或Ir不就嚇尿？ 03/15 07:30
33F：推 spirit119: 台灣廠商只想用免錢的啦 03/15 07:45
34F：推 gracefeather: 回某樓，用Ar硬打就好了，不到10nm是能打多久？ 03/15 08:09
35F：→ gracefeather: Ru比Pt便宜喔，不過Pt也早就用很多，成本不是問題 03/15 08:10
36F：→ gracefeather: MRAM的Ref Layer要用Pt，簡單省事 03/15 08:11
37F：→ gracefeather: MRAM問題是蝕刻會汙染其他半導體 03/15 08:13
38F：推 ppc: 先做出來再改進到商業化 不都這樣 03/15 08:29
39F：推 u48652004: 商業模式無法達到降低成本 03/15 09:22
40F：推 wadeCC: 請問DRMA是什麼新技術XDD 03/15 10:05
41F：推 zxcjeff: 三星表示： 03/15 15:22
42F：→ linbryan: 請問樓上.Ar硬打能打到足夠深度嗎？ 03/15 15:44
43F：→ linbryan: profile能控制嗎？ 03/15 15:48
44F：推 batista1980: 中文實在看無，這是在講STT-MRAM嗎？ 03/15 22:42
45F：推 larrylin: 是講SOT-MRAM 不是STT 03/16 12:04