作者ides13 (juso)
看板Patent
標題[問題] 關於審查基準中單一性的例子。
時間Sun Jul 20 22:59:51 2025
2023年版第四章 發明單一性的2 - 4 - 11頁，有一個案例如下。
例 3.
〔申請專利範圍〕
1.一種半導體隨機存取記憶體裝置，其特徵在於將具有由第一金屬絕緣層-半導體（metal
–insulator–semiconductor, MIS）元件，採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任
一領域作閘、且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件，……配置成矩陣
狀的記憶體陣列，將資訊線（D1）配線於記憶體存格間使記憶體陣列直交於感線（S1）及
字線（W1）而成者。
2.一種 MIS 型半導體裝置，其特徵在於由被形成於半導體基板之一主面上的第一 MIS 元
件、與採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件
之上部疊積形成的第二 MIS 元件而成者。
〔假設〕
就先前技術而言，請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」具有新穎性及進步性。
〔說明〕
請求項 2 之「MIS 型半導體裝置」為請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」的構成
元件之一，請求項 1 包含請求項 2 之內容，請求項1、2 均具有「第一 MIS 元件之汲極
及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件」
之相同的特別技術特徵，故申請案具有發明單一性。
--------
上述的例子中，〔假設〕的部分，是否應該是請求項2之「MIS 型半導體裝置」具有新穎
性及進步性的情況，申請案才具有發明單一性？畢竟，請求項 1 之「半導體隨機存取記
憶體裝置」具有新穎性及進步性的特徵，是哪個部分是未知的。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.34.124.93 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Patent/M.1753023595.A.104.html
1F：推 endlesschaos: 你的理解是對的 07/21 00:44
2F：推 aa8318800: 個人想法也是如此，若此案例要符合發明單一性，特別技 07/21 17:00
3F：→ aa8318800: 術特徵必須是請求項2中的技術特徵 07/21 17:00
4F：推 aa8318800: 不過就專利範圍而言提到請求項1是包含請求項2的內容， 07/21 17:03
5F：→ aa8318800: 字面上看好像合理，但就範圍而言我覺得是請求項2包含 07/21 17:03
6F：→ aa8318800: 請求項1 07/21 17:03
7F：→ aa8318800: 不過這個就跟單一性的判斷是2回事了 07/21 17:03