作者RGZ91B (這就是人生)
看板PC_Shopping
標題Re: [閒聊] 傳說中的9800X3D抽幀問題
時間Sun Aug 2 05:37:06 2026
: → Wilson310: CPU是到手就跟風降壓就覺得穩的 123.205.144.28 08/01 12:58
: → Wilson310: 永遠不會去想降壓也是一種超頻 123.205.144.28 08/01 12:58
: → Wilson310: 記憶體時脈永遠是超完就不測試的 123.205.144.28 08/01 12:59
: → Wilson310: 你說這種一知半解又亂操作的會穩？ 123.205.144.28 08/01 13:00
: → Wilson310: 會穩才怪 123.205.144.28 08/01 13:00
這個問題蠻值得探討的
根據半導體動態功率公式 P=aCV^2f
定功耗降壓=頻率上升 常見於顯卡 只要頻率在BIOS在boost範圍內一定往上拉
定頻降壓=功耗降低 我自己試IA兩平台CPU單純降壓都會降功耗
就看是要拉效能還是延長壽命
會開始研究這問題 是因為最近常看到Zen5故障情形 包含版主的9950X3D 本週巴哈也有案
例
更早之前團長就掛了幾顆 我就想說不可能每個案例都是極限超頻導致故障
就查了影響CPU跟記憶體壽命相關文獻
電壓對於先進製程半導體裝置壽命影響最大 其次是溫度
JEDEC JEP122H 半導體裝置失效的機制與模型這篇
該文獻中TDDB(經時介電層擊穿)失效模式以Power-Law Eyring Model進行理論壽命計算
https://i.meee.com.tw/6BxRVen.png
溫度加速因子其實就是引用Arrhenius model 即工作溫度每加10度其理論壽命減半
電壓加速因子就是負載電壓與基準電壓比值的n次方
其中n就是電壓加速指數 通常隨製程微縮增加
以9800X3D的IOD工作電壓Vsoc試算
未開啟EXPO時Vsoc為1.05V 開啟後Vsoc普遍為1.2V N參考gemini搜尋文獻中FinFET以30計
算
即(1.2/1.05)^30=54.9 所以兩者在TDDB失效模式下理論壽命差了53.9倍
還要考慮電壓增加帶來的溫度提高(功率與溫度呈正相關)
不過這畢竟是理論壽命計算 實際使用應該不會差這麼多
但在半導體製程微縮下 提高電壓折壽的速度真的是越來越快
所以才有降壓降功耗以延長壽命的作法
但降壓要考慮相關參數 像Vsoc就跟FCLK UCLK和MCLK相關
開EXPO就是因為UCLK配合MCLK提高時脈 為了維持訊號完整性Vsoc就得配合加壓
還有邪修4400是要拉FCLK 對應的VDDG也要拉高
而VDDG又得跟Vsoc有一定壓差才能維持訊號完整性 所以Vsoc也得配合加壓
AM5的性能瓶頸又卡在FCLK X3D拉DRAM性能收益太低
加上近期故障消息頻發 手上的AM5平台就不搞EXPO(超頻)了 改全面降壓降功耗
之前在B站看到一個評論 寫到「超頻的盡頭是默頻降壓」在目前製程微縮下 算是顯學吧
現在原廠boost頻率差不多就是性能跟效能的甜蜜點了 再上去收益就很低了
不如反向思考在原廠boost頻率拉低電壓(維持系統穩定前提)延長壽命會比較實在
當然AUTO也是省事的方法 但AUTO出來的數值也要看一下合理性
之前在Z390主機板插4條3200MHz 16G 結果設定AUTO是這樣的數值
https://i.meee.com.tw/ZRPpMuK.jpg
直接給到1.392v 雖然說插4條VCCSA本來就會拉高 但這也拉太多了
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※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/PC_Shopping/M.1785620229.A.939.html
1F：推 dos01: 我自己用CPU是夠用就好 可是更多買AMD的人210.209.168.195 08/02 07:45
2F：→ dos01: 多少會更看重能跑出來的數據210.209.168.195 08/02 07:45
3F：→ dos01: 出廠頻率低=數據不好看=產品退不了210.209.168.195 08/02 07:45
4F：→ dos01: 這種邏輯的人不敢說是多數 但還是有一部份210.209.168.195 08/02 07:46
5F：→ dos01: 的群體是這樣想的吧210.209.168.195 08/02 07:46
6F：推 RaiGend0519: 5%性能換10倍壽命，划算114.46.26.151 08/02 09:18
7F：→ RaiGend0519: 尤其現在零組件價格較高 114.46.26.151 08/02 09:18
8F：→ RaiGend0519: 延長使用週期比起榨乾效能更吃香114.46.26.151 08/02 09:19
對X3D來說 跑3A可能連1%效能差都沒有 林董就示範9850X3D插1條根插2條的性能差異了
https://i.meee.com.tw/vMCcCdo.png
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/02/2026 09:52:45
9F：→ Nafusica: 超頻的盡頭是主板直接改可變電阻手轉220.141.207.189 08/02 11:00
10F：推 d030b: 出場灰燼 慘痛教訓 36.226.192.246 08/02 11:27
11F：推 E7lijah: 我好奇去買了JEDEC那篇文獻 看到的公式27.51.64.1 08/02 11:32
12F：→ E7lijah: 跟你寫的不一樣 27.51.64.1 08/02 11:32\
Tbd=MTTF=1/AFv 轉換一下就好
13F：推 widec: 我CPU除了夠用 還希望穩定就好1.170.140.99 08/02 12:16
14F：→ a85139138: 我98X3D就是從一開始就默頻降壓 27.242.133.129 08/02 12:23
15F：→ a85139138: 定5.2GHz然後CO-4027.242.133.129 08/02 12:23
16F：→ a85139138: Vcore約1.08V，EXPO也沒開，27.242.133.129 08/02 12:24
17F：→ a85139138: Vsoc更壓在1.0V附近 27.242.133.129 08/02 12:24
18F：→ a85139138: 不管超上去，比如幹到5.4 or 5.5 27.242.133.129 08/02 12:24
19F：→ a85139138: 或是開EXPO，有差的只有跑分會高個位 27.242.133.129 08/02 12:24
20F：→ a85139138: 數% 27.242.133.129 08/02 12:24
21F：→ a85139138: 打遊戲根本沒感覺，倒是溫度的上升非 27.242.133.129 08/02 12:24
22F：→ a85139138: 常有感 27.242.133.129 08/02 12:24
23F：→ a85139138: 還有系統穩定度差不少，開EXPO很常遊 27.242.133.129 08/02 12:24
24F：→ a85139138: 戲閃退27.242.133.129 08/02 12:24
25F：→ a85139138: 或是當機，關了一切都順順的 27.242.133.129 08/02 12:24
26F：→ a85139138: EXPO開了，Vsoc和Vcore都會往上拉，再27.242.133.129 08/02 12:24
27F：→ a85139138: 加上 27.242.133.129 08/02 12:24
28F：→ a85139138: 超頻到5.4 5.5需要補上去的電壓27.242.133.129 08/02 12:24
29F：→ a85139138: 說真的死很快，而且用起來幾乎無感 27.242.133.129 08/02 12:24
30F：→ a85139138: 一開始各種調整bios，有時候一個下午 27.242.133.129 08/02 12:24
31F：→ a85139138: 都在調 27.242.133.129 08/02 12:24
32F：→ a85139138: 調到最後還是默頻降壓關EXPO用得最舒27.242.133.129 08/02 12:24
33F：→ a85139138: 服 27.242.133.129 08/02 12:24
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/02/2026 12:39:53
34F：推 E7lijah: 我查到的電壓表達是 27.51.64.1 08/02 12:40
35F：→ E7lijah: exp[γ_stress*E_stress - γ_use*E_use] 27.51.64.1 08/02 12:40
36F：→ E7lijah: 好像沒看到(Estress/Euse)^γ的形式 27.51.64.1 08/02 12:42
參閱(5.1.5)
37F：→ E7lijah: 然後γ寫的值大約介於2~4之間，跟30差有 27.51.64.1 08/02 12:43
38F：→ E7lijah: 點多 27.51.64.1 08/02 12:43
39F：→ E7lijah: 能請問你查到的30是哪篇文獻嗎 27.51.64.1 08/02 12:43
《Power-law voltage acceleration: A key element for ultra-thin gate oxide
reliability》（Microelectronics Reliability, 2005）
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/02/2026 12:50:53
40F：→ E7lijah: 另外阿瑞尼士方程的反應速度跟活化能有 27.51.64.1 08/02 12:51
41F：→ E7lijah: 關 27.51.64.1 08/02 12:51
42F：→ E7lijah: 以50度和60度C來說，壽命翻倍的活化能算 27.51.64.1 08/02 12:54
43F：→ E7lijah: 出來是0.643 eV，但實際MOSFET的活化能 27.51.64.1 08/02 12:54
44F：→ E7lijah: 不一定是這個值 27.51.64.1 08/02 12:54
45F：→ E7lijah: 感謝回覆，我回去查查你說的文獻部分 27.51.64.1 08/02 12:54
46F：→ E7lijah: 活化能不同的話相差10度壽命就不是*2 27.51.64.1 08/02 12:55
所以Tstress跟Tuse的活化能不會相同嗎
參考德州儀器的Calculating Useful Lifetimes of Embedded Processors這篇報告
計算Lifetime的Ea採用0.7eV
https://i.meee.com.tw/Dtssz1g.png
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/02/2026 13:25:47
47F：推 E7lijah: 我上面那個Estress是電場，也就是你這裡 27.51.64.1 08/02 13:50
48F：→ E7lijah: 電壓的概念 27.51.64.1 08/02 13:50
49F：→ E7lijah: 活化能我會寫Ea 27.51.64.1 08/02 13:50
50F：推 E7lijah: 我看到5.1.5了 原來是改用電壓V model，27.51.64.1 08/02 21:20
51F：→ E7lijah: 我上面看到的那串公式是電場E model 27.51.64.1 08/02 21:20
這影片我早在一年前就在B站看過了
降壓50mV差不多是體質一般都可以穩定運行的 實際電壓差不多就是降5%
降10%差不多就要看臉跟應用了
不過幀探那個影片VRAM調到2700+快時序會吃體質
海力士顆粒時序已經算低了 開快時序容易造成不穩定
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/03/2026 00:07:35
53F：推 SHR4587: 顯示卡降壓沒有無腦設定都是要自己114.45.158.195 08/03 06:16
54F：→ SHR4587: 慢慢試錯，且就算測試A遊戲可以穩114.45.158.195 08/03 06:16
55F：→ SHR4587: 定運作，B遊戲也不一定可以。114.45.158.195 08/03 06:16
56F：推 takanasiyaya: 當廠商都是白癡，體質好自己測不出101.10.108.243 08/03 09:07
57F：→ takanasiyaya: 來？不管加壓超頻還是降壓降溫，都101.10.108.243 08/03 09:07
58F：→ takanasiyaya: 要有一個正確心態你是在賭運，預設101.10.108.243 08/03 09:07
59F：→ takanasiyaya: 多少就是廠商批量測的定論，或許有 101.10.108.243 08/03 09:07
60F：→ takanasiyaya: 漏網之魚，但是那是你運氣好，不是101.10.108.243 08/03 09:08
61F：→ takanasiyaya: 理所當然101.10.108.243 08/03 09:08
本質上就是試探體質的極限啊，你也知道廠商出廠設定的數值本來就是考慮到體質比較差的
也能出貨，只是AM5開個expo用一兩年就縮了的消息持續出現，讓我不得不探究相關原理跟
應對措施
※ 編輯: RGZ91B (101.12.155.172 臺灣), 08/03/2026 09:26:13
62F：推 tsairay: 我昨天也決定不賭了,把expo關一關 202.39.11.150 08/03 09:51
63F：→ tsairay: vddio mem從1.426v降成1.1v,待機溫度 202.39.11.150 08/03 09:51
64F：→ tsairay: 降了2度 202.39.11.150 08/03 09:51
65F：推 kaj1983: 最後還是和intel一樣要降效能換壽命，想 218.166.17.205 08/03 10:11
66F：→ kaj1983: 想現在的用戶都被廠商騙了... 218.166.17.205 08/03 10:12
營銷話術還是得區分
AMD說 EXPO6000是甜蜜點 那CPU官方支援記憶體速度上限應該也要到6000
結果ZEN4寫5200 ZEN5寫5600
67F：推 gameguy: 組兩台5700X3D都調主機板預設值在跑，遊 223.137.146.69 08/03 10:49
68F：→ gameguy: 戲串流機先求穩，不求超頻，反正這顆也沒 223.137.146.69 08/03 10:49
69F：→ gameguy: 得超 223.137.146.69 08/03 10:49
你自己不超 還在酸別人買7700超不了?
https://i.meee.com.tw/VOmPUgq.png
70F：推 william456: btw aida64放副螢幕也會掉幀，後來 1.165.56.160 08/03 15:06
71F：→ william456: 都全拔，小飛機也只把風扇轉速拉高 1.165.56.160 08/03 15:06
72F：→ william456: 就關掉 1.165.56.160 08/03 15:06
73F：推 kanding255: 降效 不跟你講數字 你可能還不知道有 1.172.170.58 08/03 15:46
74F：→ kanding255: 差 1.172.170.58 08/03 15:46
75F：→ NanaMizuki: vsoc預設應該是1.05v 101.10.125.79 08/03 18:42
感謝指正QQ 研究POD11太久搞混了
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/03/2026 19:33:29
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/03/2026 19:38:04
※ 編輯: RGZ91B (114.37.76.5 臺灣), 08/03/2026 19:38:57
77F：→ NanaMizuki: 肯慢慢調也是能兼顧效能和電壓的 125.230.9.188 08/04 00:05
78F：→ NanaMizuki: soc 1.05、vddio 1.1、vpp 1.8都是預 125.230.9.188 08/04 00:05
79F：→ NanaMizuki: 設 125.230.9.188 08/04 00:05
80F：→ NanaMizuki: vdd和vddq還在測下限不過1.24也比1.4 125.230.9.188 08/04 00:06
81F：→ NanaMizuki: 低非常多了 125.230.9.188 08/04 00:06
好奇你的VDD_MEM跟VDDQ壓差是參考JEDEC JESD79-5嗎 規範兩者壓差極限是0.066V
是有說法VDDIO跟VDD_MEM和VDDQ盡量要三者一致才容易達成電平一致性
微星預設好像就是三者一致 華碩好像有佈線還是其他考量 會讓VDDQ跟VDDIO差一點點
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 00:48:09
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 00:55:02
82F：→ NanaMizuki: 我是參考這個計算機 125.230.9.188 08/04 01:11
83F：→ NanaMizuki: DDR5 Timing Calculator for AMD by 125.230.9.188 08/04 01:11
84F：→ NanaMizuki: RedF & Wolf87, Guided by Veii 125.230.9.188 08/04 01:11
85F：→ NanaMizuki: vddio和vsoc等電壓則是參考 125.230.9.188 08/04 01:12
86F：→ NanaMizuki: skatterbencher的文章 125.230.9.188 08/04 01:12
88F：→ NanaMizuki: vddio至少比vddp高100mv 125.230.9.188 08/04 01:14
89F：→ NanaMizuki: vsoc至少比vddio+100mv後低 125.230.9.188 08/04 01:15
90F：→ NanaMizuki: vddio和vddq+vdd互為同路線上的兩端 125.230.9.188 08/04 01:21
91F：→ NanaMizuki: 當然中間有阻抗 125.230.9.188 08/04 01:21
92F：→ NanaMizuki: 所以確實會有同電壓比較好的說法 125.230.9.188 08/04 01:22
93F：→ NanaMizuki: 但平常expo給1.4起跳等於是io die這條 125.230.9.188 08/04 01:27
94F：→ NanaMizuki: 資料線上2端都是給到1.4v就有點... 125.230.9.188 08/04 01:27
EXPO設1.4V可能是考慮使用者可能使用丐版(板子用料太爛會電壓給低會不穩)
才做為出場數值 就跟expo條的trefi數值廠商不敢拉太高(沒裝主動散熱會不穩定)一樣道理
95F：→ NanaMizuki: 保守一點應該是soc控制在1.05x1.1= 125.230.9.188 08/04 01:36
96F：→ NanaMizuki: 1.155以下 125.230.9.188 08/04 01:36
97F：→ NanaMizuki: vddio則是1.1x1.1=1.21以下 125.230.9.188 08/04 01:36
我翻了一下Buildzoid影片
有講到每家對於VDDQ跟VDDIO的設定邏輯都不一樣 PCB層數跟佈線也會影響差異
所以只能說每種系統組合最佳參數都可能都不相同 不能直接照抄參數 還是得自己try
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 01:42:09
98F：→ NanaMizuki: vdd和vddq遷就vddio的上限去調整ram 125.230.9.188 08/04 01:37
99F：→ NanaMizuki: 時序和小參 125.230.9.188 08/04 01:38
100F：→ NanaMizuki: 這應該是在防io die燒毀、壽命、效能 125.230.9.188 08/04 01:39
101F：→ NanaMizuki: 三者之間較合理的平衡點 125.230.9.188 08/04 01:39
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 01:49:39
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 01:53:17
102F：推 tsairay: 我看開expo,vddio mem到1.426v我就怕了 202.39.11.150 08/04 12:06
103F：→ tsairay: 實在太margin,記得好像1.45v就會爆了 202.39.11.150 08/04 12:06
看EXPO VDD_MEM參數給多少啊 1.4-1.45V的話 主板給vddio也是差不多的值
因為三者壓差不能太大
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 22:09:03
104F：推 tsairay: 我用金士頓DDR5-6400,裡面參數開expo都是125.229.103.220 08/04 22:25
105F：→ tsairay: 1.4V,不開才是1.1V125.229.103.220 08/04 22:25
那很正常啊 記憶體官方網頁應該有EXPO下包含電壓的參數吧(至少我買的有寫)
不開就是JEDEC標準 1.1V
CPUZ開啟SPD標籤也可以看到模組內EXPO跟JEDEC的的主要參數
https://i.meee.com.tw/kMpdp1m.png
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 22:29:45
※ 編輯: RGZ91B (114.37.122.243 臺灣), 08/04/2026 22:38:54