※ 本文是否可提供臺大同學轉作其他非營利用途？（須保留原作者 ID） （是／否／其他條件）：是 哪一學年度修課：109-1 ψ 授課教師 (若為多人合授請寫開課教師，以方便收錄) 陳信樹教授 λ 開課系所與授課對象 (是否為必修或通識課 / 內容是否與某些背景相關) 電子所、電機所、生醫電資所選修 δ 課程大概內容 以下來自課程大綱。 1. Introduction 2. 揮發性記憶體 (Volatile memories) 甲、SRAM記憶單元的基礎操作原理 , 陣列 /先進技術 , FinFET SRAM 乙、DRAM記憶單元的基礎操作原理 , Embedded DRAM技術 3. 非揮發性記憶體 (Non-volatile memories) 甲、ROM 乙、Flash記憶體單元 , 陣列架構 , 進階技術 丙、OTP (One-time Programmable)/MTP 4. 記憶體讀取和控制電路, Sense Amplifiers 5. 記憶體周邊電路及解碼器 (Address Decoders) 架構 6. 前瞻記憶體 (Emerging Memories)技術 7. Memories Yield and Design for Manufacturing (DFM) Ω 私心推薦指數(以五分計) ★★★★★ 喜歡半導體製程 ★★★★★ 喜歡不用出席的課 ★★★★★ 需要畢業學分 ★★★★★ 喜歡助教在 Office Hour 去排 iPhone 12 ★★★★★ 喜歡作業跟上課內容完全沒關係 ★★★★★ η 上課用書(影印講義或是指定教科書) “VLSI Memory Chip Design” by K. Itoh, Springer 2001. “Advanced Semiconductor Memories: Architectures, Designs, and Applications ”, by A. K. Sharma 2002. "VLSI-Design of Non-Volatile Memories”, by G. Campardo, et al. 2005. 課程大綱推薦的，用不太到 μ 上課方式(投影片、團體討論、老師教學風格) 投影片上課，今年邀請到清大的張教授來授課，課程內容多半在講摩爾定律和半導體製程，還有推薦你去台積電。整個學期下來幾乎沒有講到電路設計的任何東西。課程有一部分會錄影上傳到 NTU Cool 上，另一部分因為張教授怕會不小心透漏商業機密就不錄了。整體來說每週都像是演講課，彷彿一學期內修了三個專題演講。 σ 評分方式(給分甜嗎？是紮實分？) Midterm (25%) Final Examination (45%) Project (30%) 課程大綱上寫的。最後大概沒調分，紮實分，有6/34的人A+，1/34的人B-，這學期沒有當人。 ρ 考題型式、作業方式 期中考有寫有分，題目跟上課內容關聯性未知。寫錯都有分。歡迎大家來體驗。 三次作業都是請你設計電路，助教會提供工作站和模擬的教學檔。 第一次作業是 6T SRAM，第二次是 Sense Amplifier，這兩次是請大家設計電路並量一些參數，最後要 Layout，但不用做 post-sim。 第三次作業是提供一個現成的 SRAM Array 讀寫系統和週邊的控制電路，助教說只要簡單調 size 就可以了，但事實上裡面 bug 很多，檢查裡面也是要花一點時間。 不過下次開課可能作業形式會不一樣，大家可以簡單參考就好。 ω 其它(是否注重出席率？如果為外系選修，需先有什麼基礎較好嗎？老師個性？ 加簽習慣？嚴禁遲到等…) 不點名。如果本來就有電路模擬環境，寫作業可能會比較順。當然從零開始學也可以，這門課帶你從 pre-sim 做到 layout，賺。 Ψ 總結 這門課其實沒太著墨於電路設計，不過對半導體設計和製程演進有興趣的同學還是可以來修修看。 --

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