作者jerrychu1211 (感受到 鄉民的正義了~~)
看板NEMS
標題[問題] 請教半導體材料fundemental物理量的問題
時間Sat May 23 03:21:36 2020
各位先進,
小弟學識淺薄, 想請教半導體元件物理, 常看到的一些物理量是如何得出來的
主要有 :
(1) bandgap (能隙/能帶)
(2) electron effinity (電子親和力)
(3) reletive permittivity (相對界電常數, 也就是泛指的k值. 如 higk-k/low-k)
(4) intrinsic concentration (本質載子濃度)
(5) electron/hole/channel mobility (電子/電洞/通道遷移率)
這是很fundemental的問題, 所以想請教
這些數值是量出來的(如何量), 還是推算出來的呢? (如何推算)
也請各位先進, 為小弟解惑
謝謝
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1F：推 psychicaler: (1) 以量測激發光波長求得 (4)(5)用量到電壓電阻推算 06/13 19:06
2F：→ psychicaler: 沒量測經驗不知道很正常，了解這些參數間關係即可 06/13 19:07
3F：推 fragmentwing: (3).如果我沒弄錯，可以看吸收光譜、反射率、折射率 05/05 17:28
4F：→ fragmentwing: 這些去算，這些東西其實會因入射光頻率而改變，和電 05/05 17:28
5F：→ fragmentwing: 子的極化有關 05/05 17:28
6F：→ fragmentwing: 可以查查看kk relationship 05/05 17:28