作者joehsu831212 (op Joe)
看板NEMS
標題BOE會蝕刻Si3N4嗎？
時間Mon Sep 9 18:35:12 2019
請問各位，BOE（BHF）在室溫下會蝕刻利用pecvd鍍出來的Si3N4嗎？
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1F：推 boson5566: 會 泡夠久會全部蝕刻掉 泡很短時間會蝕刻不完全 09/09 22:19
2F：→ boson5566: 表面看起來爛爛的 SiO2, Si3N4都類似 09/09 22:19
3F：推 cupidboy: 會 而且速度很快 09/11 18:31
4F：推 xa380x: ......我就說會啊 09/11 23:55
5F：→ joehsu831212: 我看有些資料寫室溫下1nm/1min啊…… 09/19 12:14
6F：推 sunchloveann: 理論上品質好的話是不會被蝕刻掉 通常識破洞 09/24 00:56
7F：推 sunchloveann: 造成BOE滲到氮化矽跟矽的介面而造成peeling 09/24 00:56
8F：推 jerrychu1211: PECVD的SiNx具有多孔性(較鬆散),故BOE易滲漏peeling 05/23 02:30
9F：→ jerrychu1211: 而LPCVD的SiNx較緻密,通常還是以熱磷酸去除 05/23 02:31