Futurrex系列的負光阻是我用過很喜愛的一種。 無論是當做dry/wet etch的mask或是用來liftoff都有相當優異的表現。 雖然從你的敘述中我無法得知原因，但有以下幾點可供參考 1. NR AA-BBBB這種型號的BBBB代表的是溶劑百分比，換句話說是厚度。 就我所知1500系列轉到五千rpm時厚度都還在1.1um附近，所以你的 0.9um會不會是 有誤差或是光阻變質？這點很重要，我以往失敗的經驗是在SU-8上做lift-off 結果用顯微鏡看到以為是ok的曝光顯影結果，其實用表面輪廓儀去掃一下發覺厚度 變薄很多，然後lift-off的結果是所以金屬全都被掀掉。 證實Futurrex系列光阻顯影不完全時用顯微鏡一樣會誤判看不出來 (正光阻其實也一樣，只是在silicon表面的話顯不乾淨時看的很清楚) 2. O2 plasma是用來desum掃掉少部分顯影未完全或是硬烤時附著在晶圓表面的 微小光阻顆粒，你從900nm掃到600nm已經算是掃太過頭了，其實沒必要掃那麼多 3. 200nm的金屬用600nm厚的光阻來做liftoff，基本上太困難了。 基本上若是你的sputter為了增加你的uniformity所以有對substrate進行一些自轉 公轉的話，那麼你的光阻側壁上也全都鍍上金屬了。acetone 無法接觸到光阻， 當然無法將光阻溶出 4. 我還是不看不懂為什麼你的鋁一開始提到銀色後來是深黑色 所以我的建議是:1. 增加光阻厚度，並且減少RIE的量 ※ 引述《black7928 (路過也中槍)》之銘言： : 標題: [問題] lift-off問題 : 時間: Tue Nov 20 17:15:27 2012 : 想詢問一下 : 目前小弟在做lift-off製程 : 順序是 : 曝光顯影 : 進RIE用氧電漿再掃過 : 進入sputter : 放入ace : 一開始看圖形以為是圖案整個相反因為圖形有點被洗掉變白色的感覺(基板為白色) : 後來注意一看才發現其實是銀色 應該為小弟原本所打的Al無誤 : 但是問題在於圖形外需隨著PR一起被掀起的金屬並沒有掀起來 : 銀色圖形外的部分全都呈現深黑色 : 想問問這有可能是跟什麼有關係 : sputter完後因為某些原因只先放在晶圓保存盒一天後才進入ace : 想問問是否是因為這一個時間間隔的關係 還是有其他問題 : 再麻煩各位指導一下 謝謝!!! : -- :

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) : ◆ From: 120.107.167.215 : 推 Jeffch:線寬? 高度? undercut有多少? 11/21 05:59 : : : 線寬線距為1um 高度為600nm PR為NR71-1500PY : : ※ 編輯: black7928 來自: 120.107.194.182 (11/23 10:09) : 推 Jeffch:Al 厚度如果太厚single layer比較難掀起來 11/24 13:26 : 推 SkyLark2001:只有我看不懂原PO的敘述嗎?鋁跟基板都是銀白色，然後 11/24 16:34 : → SkyLark2001:鋁沒掀起來，那這樣深黑色部分是哪來的? 11/24 16:34 : 推 SkyLark2001:原po若能多提供一些資訊包括基板(我猜鈮酸鋰)，鋁厚度 11/24 16:48 : → SkyLark2001:黃光參數，甚至是哪一台機器鍍鋁，都可以增加板友y 11/24 16:48 : → SkyLark2001:判斷的資訊 11/24 16:48 : : 抱歉現在才回覆 目前經過顯微鏡以及電表簡單測試後 : : 黑色部分的確為鋁 並沒有完全掀起來 : : 基板部分為鈮酸理 曝光強度12mW/cm2 : : PR原高度為900um 經過RIE後為600um : : 金屬部分有先上50um的Ti 之後再上200um的Al : : 所以總高度為250um : : 濺鍍機台是外借的 可能我要再去詢問一下機台的資料 : : : : 後來在業界的學長建議下再進一次RIE 但並沒有改善其問題 : : 且進過RIE之PR似乎有較難清除之問題 : : 再麻煩各位前輩指教 有什麼資訊我會在馬上補上 謝謝各位!!! : : : ※ 編輯: black7928 來自: 111.252.225.74 (11/27 16:01) -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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