作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
標題Re: [問題] 1um線寬曝光問題
時間Fri Sep 7 02:48:52 2012
我做過NR71-1000PY 以及 NR9-3000PY 但只有在Silicon跟 glass wafer上, 沒做鈮酸鋰
所以以下經驗僅供參考
1. 清洗後為什麼不用超過110的溫度烤乾? 九十度不到水的沸點, 烤再久也只是浪費時間
2. 我以上兩種resist的soft bake都是用 150度以上去烤的, 原廠datasheet都是這個值
你選用低溫但延長時間的理由是?
3. 若你不是漏打，那我想3才是真正原因:
FuturRex系列的光阻是負光阻。老兄你忘了要PEB(鋪後烤)啊!
※ 引述《black7928 (胖)》之銘言：
: 小弟最近正在是1um的曝光
: 可是結果不盡理想
: 小弟的參數如下
: 機台的曝光強度12mW/cm2
: 使用NR71-1500PY的光阻
: 基板為鈮酸鋰基板
: 1.清洗後烘烤90度10min
: 2.塗佈 500rpm 10s 4000rpm 40s
: 3.軟烤 90度 10min
: 4.曝光16s
: 5.顯影液與水比例3:1 顯影時間12s
: 有一部份因為所設計的較為密集
: 試了很多種參數都無法完成 用om看都是黏在一塊的
: 想問看看有沒有什麼方式能夠改善 再麻煩了 謝謝!!
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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◆ From: 24.17.242.187
※ 編輯: SkyLark2001 來自: 24.17.242.187 (09/07 02:49)
1F：推 black7928:感謝回答 其實我有試過原廠的DATA 但是因為鈮酸鋰太 09/07 12:09
2F：→ black7928:高溫會有晶圓碎裂的問題 我有看了一些其他製成溫度大 09/07 12:09
3F：→ black7928:約為90度 拉長時間 所以我才用這方式 小弟也有曝後烤 09/07 12:10
4F：→ black7928:感謝建議!! 09/07 12:10