作者mcgradychung (阿豪)
看板NEMS
標題Re: [問題] 請問熱成長和熱沉積有何不同?
時間Tue Apr 3 22:06:35 2012
※ 引述《canonlxus75 (步懷真)》之銘言：
: 請問在半導體的製程中
: 熱成長和熱沉積 有何不同?
熱成長
是由原本基板材料, 經加熱與通氣...等動作, 從基材成長出新的材料.
熱沉積是在製程腔體中, 引入欲沉積之材質所需的氣體, 並在高溫環境下,
反應成欲沉積的材料, 沉積在基板上.
: 其兩種製程的優缺點有哪些?
熱成長優點:通常會高品質, 製程成本低(機台成本低, 單次貨量大...)
缺點:高溫需求, 消耗基材, 成長的東西限制(跟基材相關).
熱沉積優點:製程靈巧度高(如沉積異於基板的材料), 可較低溫,
缺點:品質相較較差, 通常成本較高(機台, 氣體...)
: 小弟在此感謝回答的各位!
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